电光调制器,强度调制器,相位调制器,EOM原理资料.pptVIP

EOM的工作原理;目录;EOM的定义;电光调制按其调制的性质可以分为调幅、调频、调相及强度调制等。;其调幅波的表达式为： ; 调频或调相就是光载波的频率或相位随着调制信号的变化规律而改变的振荡。因为这两种调制波都表现为总相角? (t) 的变化，因此统称为角度调制。 ;则调制波的表达式为： ;将式中 两项按贝塞尔函数展开：;可见，在单频正弦波调制时，其角度调制波的频谱是由光载频与在它两边对称分布的无穷多对边频所组成的。各边频之间的频率间隔是 , 各边频幅度的大小 由贝塞尔函数决定。 ; 强度调制是光载波的强度(光强)随调制信号规律而变化的激光振荡。 激光调制通常多采用强度调制形式，这???因为接收器(探测器)一般都是直接地响应其所接收的光强度变化的缘故。 激光的光强度定义为光波电场的平方，其表达式为(光波电场强度有效值的平方): ;光强调制波的频谱可用前面所述类似的方法求得，但其结果与调幅波的频谱略有不同，其频谱分布除了载频及对称分布的两边频之外，还有低频 和直流分量。; 脉冲调制;;EOM的种类及应用;根据电光晶体材料的不同，可分为KDP晶体，铌酸锂EOM，硝基苯EOM，锂铌酸钾EOM； 根据所用电光效应的不同也可分类，若电光材料折射率与调制电压呈线性关系，即称为线性电光效应（泡克尔斯效应），如KDP晶体，铌酸锂；若电光材料的折射率与调制电压的二次方成正比，即克尔效应，如硝基苯，锂铌酸钾； 另外，此处还需介绍EAM，电吸收调制器，一种和铌酸锂波导调制器一样应用广泛的调制器，属于是内调制器，主要用于和半导体激光器集成，体积小，功耗低，驱动电压低，但传输性能比EOM稍差，比直接调制的半导体激光器稍好，多用于中短距离传输，发展前途较好。; 相位调制器 相位调制器是电光波导调制器中最简单的器件，选择合适的晶体取向以便获得最大电光系数 （为获得最大调制深度，一般取Z方向为电场方向），选取合适的波导和电极结构，然后在调制电压信号的作用下，电光晶体的折射率发生相应的改变，晶体中o光和e光经过不同的光程，产生附加相位。 如下图所示，电场分量沿水平方向（x切y晶体）或者垂直方向（y切x晶体）加在铌酸锂基片上，光波导传输的模式应为TE模（水平偏振），即晶体中的e光。产生的附加相位为;强度调制器 强度调制的实质仍然是相位调制产生的。激光经过第一个3dB耦合器分成两部分，每个分支光波导所发生的现象均是相位调制，通过第二个3dB耦合器，相位调制才转变为强度调制。施加在晶体上的电场在空间上基本是均匀的,但在时间上是变化的。 ; 电光调制的物理基础是电光效应，即某些晶体在外加电场的作用下，其折射率将发生变化，当光波通过此介质时，其传输特性就受到影响而改变。; 对电光效应的分析和描述有两种方法：一种是电磁理论方法，但数学推导相当繁复；另一种是用几何图形───折射率椭球体(又称光率体)的方法，这种方法直观、方便，故通常都采用这种方法。 ;式中，γij 称为线性电光系数； i取值1，…，6；j取值1，2，3。上式可以用张量的矩阵形式表式为：;式中， 是电场沿 方向的分量。具有 元素的 矩阵称为电光张量，每个元素的值由具体的晶体决定，它是表征感应极化强弱的量。将LN晶体的电光张量矩阵代入式中得到 ; 下面分析一下电光效应如何引起相位延迟。实际应用中的LN晶体是沿着相对光轴的某些特殊方向切割而成的，且外电场也是沿某些特殊方向加到晶体上的。根据电场的方向与通光的关系，分为两种方式：电场方向与通光方向一致称为纵向电光调制：电场方向与通光方向垂直，称为横向电光调制。以铌酸锂晶体为例，分析;根据下图来讨论LN晶体的横向电光应用。 由于外加电场是沿z轴方向，晶体的主轴不会发生旋转，仍为x，y，z方向，此时的通光方向与z轴垂直，并沿Y方向入射，若入射光偏振方向与z轴成45°角，进入晶体分解为X和z方向振动的两个分量，其折射率