地址译码器输出W0~W3分别出现高电平。根据电路结构,.doc

习题6-1 二极管ROM电路如题图6-1所示。已知A1A0取值为00、01、10、11时，地址译码器输出W0～W3分别出现高电平。根据电路结构，说明内存单元0～3中的内容是什么？●表示如虚框连接。 题图6-1 习题6-2 NMOS ROM电路如题图6-2所示。已知地址译码器译中的通道输出Wi为高电平。根据电路结构，说明内存单元0～7中的内容。 题图6-2 习题6-3 NMOS ROM实现的组合逻辑电路如题图6-3所示。已知地址译码器译中的通道输出为高电平。分析电路功能，写出逻辑函数F1、F2的表达式。 题图6-3 习题6-4 PROM实现的组合逻辑电路如题图6-4所示。 题图6-4 分析电路功能，说明当XYZ为何种取值时，函数F1=1，函数F2=1。 XYZ为何种取值时，函数F1=0，函数F2=0。 习题6-5 已知逻辑函数F1 ～F4为 试用PROM实现之，並画出相应电路。 习题6-6 已知逻辑函数F1 ～F3为 试用PROM实现之，並画出相应的电路。 习题6-7 74LS161和 PROM组成的电路如题图6-7所示。 分析74LS161功能，说明电路的计数长度M为多少。 写出W、X、Y、Z的函数表达式。 在CP作用下，分析WXYZ端顺序输出的8421BCD码的状态，並说明电路的功能。 题图6-7 习题6-8 可编程逻辑阵列(PLA)实现的组合逻辑电路如题图6-8所示。 分析电路功能，说明当ABC为何种取值时，函数F1=1，函数F2=1。 若电路改为PROM实现，内存单元的容量有何不同，各应为多少？ 图6-8 习题6-9 可编程逻辑阵列(PLA)实现的码制变换电路如题图6-9所示。 写出F1 ～F4的函数表达式。 分析输入、输出的逻辑关系，说明电路是何种码制变换电路。 电路矩阵的容量为多少？若改用PROM实现此电路功能，则矩阵的容量应为多少？ 题图6-9 习题6-10 可编程逻辑阵列(PLA)实现的显示译码电路如题图6-10所示。 根据PLA结构写出函数abc…g的表达式。 分析电路功能，说明当输入变量DCBA从0000变化到1111时，abcdefg后接的七段LED数码管显示的相应字形。 题图6-10 习题6-11 试用可编程逻辑阵列(PLA)实现下列函数； 並画出相应的电路。 习题6-12 试用可编程逻辑阵列(PLA)实现下列函数： 並画出相应的电路。 习题6-13 可编程逻辑阵列(PLA) 和D-FF组成的同步时序电路如题图6-13所示。 根据PLA结构，写出电路的驱动方程和输出方程。 分析电路功能，画出电路的状态转换图。 题图6-13 习题6-14 可编程逻辑阵列(PLA) 和D-FF组成的同步时序电路如题图6-14所示。分析电路功能，画出电路的状态转换图，说明电路能否自启动。 题图6-14 习题6-15 试用可编程逻辑阵列(PLA) 和JK-FF设计一同步时序电路，电路的状态转换图如题图6-15所示。图中X、Y为输入，Z为输出。 写出电路的输出方程和驱动方程。 画出用PLA和JK-FF实现的电路图。 题