7模拟集成电路中常用的单元电路[最终版].pptVIP

?8.3.1 双极型差分放大器 2.不对称性 （3）失调电流及其温漂（续） ?IOS ?T 单位温度变化所引起的输入失调电流的变化称为输入失调电压温漂，记为： 为了直观起见，忽略电阻的不对称性，即?RC = 0，则： IOS ? ?IOS ?T = - ?? ?T Vcc RC1 T2 T1 RC2 ?o1 ?o2 ?i1 ?i2 RE 豌傍早趾芯彰沿瑰拯受托翔失扭饲显雌导俊孔榔狰莎锄颓汾迷逊苑猴根乔7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.1 双极型差分放大器 3.电路改善措施 a)用恒流源代替射极耦合电阻RE 既增大了等效电阻，改善了共模抑制比，又稳定了工作电流。 (单纯增加阻值，将影响工作电流)。 Vcc RC1 T2 T1 RC2 ?o1 ?o2 ?i1 ?i2 T4 Ir Ie T3 拍顾蛮靳千噶乞笛渍缓覆沧启刊驼课幸栏咱渺哺比较圣寸亿删妨监又票罚7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.1 双极型差分放大器 3.电路改善措施 b)采用有源负载代替集电极负载电阻RC 有较高的动态输出阻抗，提高增益和共模抑制比；而又具有较低的直流电阻，不需要提高工作电压即可维持正常工作电流。 T2 T1 ?o2 ?i1 ?i2 T3 T4 VCC Ie T5 T6 Ir T4 ?o1 隋扭买嚷诚耕遁功咐炳惕严溅辗网辊病腾周欠迪寞捶粪溜蕉荡鉴婴唐彰杀7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.1 双极型差分放大器 3.电路改善措施 c)改善差分输入管特性 采用高增益晶体管、达林顿管、互补复合管、MOS管等，提高增益，提高输入阻抗。 T2 T1 ?o2 ?i1 ?i2 T3 T4 VCC Ie T5 T6 Ir T4 ?o1 航辕攒簇戊汛贯开腋絮恰勿穗迢员缄伊屿饯戊惕驴惊顺哨裴棋枪纽颅猿首7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.1 双极型差分放大器 4.单端化结构 T2 T1 ?o ?i1 ?i2 T3 T4 VCC T5 Ie T6 Ir ?I3 ?I2 ?I1 ?Io 当输入差模信号时： ?I1= - ?I2 T3 、T4组成镜像电流源，使： ?I3= ?I1 因此： ?Io= ?I3 - ?I2 = ?I1 - ?I2= - 2?I2 当输入共模信号时，同理可得?Io=0。 可见，与双端输出信号相同。 魔紧胸物摸讽攀米骋航授腑诬汉欺右初呀戊喀砚分崎泰企蹦彰贼业当枷后7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.2 MOS型差分放大器 1. E/E NMOS结构 Vcc Vi1 Vi2 Vo1 Vo2 M1 M2 M3 M4 M5 Is M6 M7 齿蛙炔屑荡满淋驱员提茄清柱劣实吐辆闽暴门叉瑰渣碌莎寒现蛔薄枢突肾7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.2 MOS型差分放大器 2. E/D NMOS结构 Vcc Vi1 Vi2 Vo1 Vo2 M1 M2 M3 M4 M5 Is M6 M7 陋墨哆枕司绅候小枚有仲乞滨谣领砷蠢喉铝颤顾镣帐急忿费凯竹泡澈恤旷7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.2 MOS型差分放大器 3. NMOS管作为输入管的CMOS结构1 Vcc Vi1 Vi2 Vo1 Vo2 M1 M2 M3 M4 M5 Is M6 M7 笋网取怒而幌定兆青议痊奎厩红宏读苍楔棠遣处教姨颂滔谁臂辉妈撇玩遗7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.2 MOS型差分放大器 4. NMOS管作为输入管的CMOS结构2 Vcc Vi1 Vi2 Vo M1 M2 M3 M4 M5 Is M6 M7 矽邻获哟脆试哮钓天抽搐妓焊腮信撩氟索暴夫任绷宙卧赊馒湿诲三剑锅裤7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.2 MOS型差分放大器 5. PMOS管作为输入管的CMOS结构1 Vcc Vi1 Vi2 Vo2 M1 M2 M3 M4 M5 Is M6 M7 Vo1 辜绢勾役榷帝胞糜忙及孕酞墅沪委柔尘脆窥既像忌诌剔渺挪鹊襄聘豆皂姨7模拟集成电路中常用的单元电路7模拟集成电路中常用的单元电路 ?8.3.2 MOS型差分放大器 6. PMOS管作为输入管的CMOS结构2 Vcc Vi1 Vi2 Vo M1 M2 M3 M4 M5 Is M6 M7 忍拟翌兑汪咖芳丁馆弃热掺呐喘膝柠嘴邢担朽盛伶彦呕疮