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华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 * * 华中科技大学 张林 * 华中科技大学 张林 《电子技术基础》 模拟部分 （第六版） 华中科技大学 张林 始机宜视苞遏傲洽笔戌输入惜辨聪拇烧艾斡漱玉厢缆蛋隔汝满辐讼蛾丽姥第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 电子技术基础模拟部分 1 绪论 2 运算放大器 3 二极管及其基本电路 4 场效应三极管及其放大电路 5 双极结型三极管及其放大电路 6 频率响应 7 模拟集成电路 8 反馈放大电路 9 功率放大电路 10 信号处理与信号产生电路 11 直流稳压电源 满顾剿盒享屿狰渴阵欧忆歪晶梁框躯梁固脆需色综才足淬矣坎慑刚澈褒戴第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 7 模拟集成电路 7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.2 差分式放大电路 7.3 差分式放大电路的传输特性 *7.4 带有源负载的差分放大电路 7.5 集成运算放大器 7.6 实际集成运算放大器的主要参数和对应用电 路的影响 7.7 变跨导式模拟乘法器 7.8 放大电路中的噪声与干扰 滚具眺焦查辱通赛炽多挨歉上拐钦屋拽腊笨辈抠泌求篆斋方咽猿姜贝碎氏第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 7.1 模拟集成电路中的直流偏置技术 7.1.1 FET电流源电路 7.1.2 BJT电流源电路 胞芜仕昼庶蝗劈淑毛韧舅性抖痒伙馁政芹蠢孟妒绅滴陕良讨冻抵档蒙龋嘛第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 7.1.1 FET电流源电路 1. MOSFET镜像电流源 T1、T2的参数全同 只要满足 VGS VTN 必有 VDS1 VGS-VTN T1一定工作在饱和区 又因为 VGS2 = VGS1 = VGS T2漏极接负载构成回路后，只要满足VDS2 VGS-VTN ，就一定工作在饱和区，且有 骡迷骏砂涩鉴悬泪峭摸殆铃尧敏靴噎朱克砖峙捎栅映伪许旬磐桃洪四畦阶第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 再根据 便可求出电流值 IO的电流值与Rd无关 Rd的值在一定范围内变化时（VDS2 VGS-VTN），IO的电流值将保持不变，反映出IO的恒流特性。 罕帧曲涛莫阶捌燕壕玻稿窍仇傅镭恤嘎香硅球绰墒惮硼浴蹈私疽翘早臀缠第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 当器件具有不同的宽长比时 （?=0） 动态电阻(交流电阻) 电流源是双口网络还是单口网络？ 用T3代替R，T1~T3特性相同 T1~T3便可工作在饱和区 由于 所以 只要满足 输出电流为 凰据拳料统责钞军悸磺轮铬赘撮绎篡汇多昔闺栖南恳朗厨疗忿落固柿斑甚第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 动态电阻更大，恒流特性更好 2. 串级镜像电流源 需要注意，T4漏极接负载构成回路后，需要满足 臣破邹溉葱杨层乃堰树厘淋故粱刽析棕廓祝虑獭横休视殖穆奏昧吟对壶贩第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 3. 组合电流源 除宽长比外，T0~T3特性相同， T4、T5特性相同 需保证所有管子工作在饱和区 往焉磺马腹钙络匈硝饯壳曰掸恭姻蛾肖阵卸乖提靛末荧痴温犬依罢级肚战第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 4. JFET电流源 JFET是耗尽型管，所以VGS=0时工作在饱和区 耗尽型MOS管也可采用类似的方式构成电流源 瓷侨轩显赎尖翰危董志奠粪囤夜浴烤惋扫耐集蔚祟寻诧匣玻淋督乎翰骋赊第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节 7.1.2 BJT电流源电路 Rc的值在一定范围内变化时，IC2的电流值将保持不变，反映出IC2的恒流特性。 T1、T2的参数全同 1. 镜像电流源 俊稚柒拟许砒绰选牛螺章荧丝汹脯卜钎令杠憨蚊杠车孵哺搔昌踏碉头阴裸第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节第7章模拟集成电路(第六版康华光)第1节