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模拟电路全定制设计实验报告
实验1—实验10
这一部分的实验是画出buffer的版图并进行DRC、LVS以及RCX，最后进行后仿真的过程。
Buffer的电路图及版图如下：
Buffer_text的电路图如下：
进行后仿真后的结果如下：
对不带寄生参数的原理图进行仿真：
对带寄生参数的原理图进行仿真：
实验11
本实验是通过电路对二极管的I-V特性进行仿真测试。
测试电路图如下：
仿真结果如下：
实验12
本实验目的是仿真测试BJT和MOS晶体管的I-V特性。
测试BJT管的电路图如下：
三极管的输入特性曲线如图：
三极管的输出特性曲线如图：
测试MOS管的电路图如下：
MOS管的输出特性曲线：
MOS管的输入特性曲线：
MOS管的参数观察如下：
实验13
本实验是对MOS管栅源电容，体效应以及总电容的测试。
栅源电容测量电路如图所示：
栅源电容随栅源电压的变化曲线：
体效应及总电容的测试电路如下：
不同VGS下的mos管的输入特性曲线：
MOS管的总电容随栅电压变化的曲线：
实验14
本实验主要是对MOS晶体管共源级放大器进行仿真测试
（1）电阻负载的共源放大器电路如下：
直流仿真结果：
参数化扫描结果：
MOS管的DC分析时的参数：
AC仿真结果如图所示：
TRAN仿真结果如图：
（2）二极管负载的共源放大器电路如下：
直流仿真结果：
参数化扫描结果：
AC仿真结果：
TRAN扫描结果：
（3）电流源负载的共源放大器电路如下：
直流仿真结果：
AC仿真结果：
TRAN仿真结果：
实验15
本实验是对简单地差动电路放大器进行仿真测试。
差动放大器电路图如下：
DC扫描及输入输出共模范围图像：
AC分析：
相位裕度：
共模增益波形：
从VDD到VOUT的增益曲线：
实验18
本实验要求自己设计一个三输入与非门，要求驱动10pf的电容，并且延时不能大于0.65ns。
电路图设计如下：
仿真结果如图所示：
由结果可以看出，电路符合要求。
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