第9章半导体1气敏汇编.pptVIP

第9章 半导体传感器 9.1 气敏传感器 9.2 湿敏传感器 9.3 色敏传感器 9.4 半导体传感器的应用; ; ; ; ; ; 非电阻型半导体气敏元件是利用其它参数， 如二极管伏安特性和场效应晶体管的阈值电压变化来检测被测气体的。 ;表9-1 半导体气敏元件的分类 ; ; ; 气敏传感器主要用于工业上的天然气、煤气，石油化工等部门的易燃、易爆、有毒等有害气体的监测、预报和自动控制。 ; ; 被吸附的分子首先在表面自由扩散，失去运动能量，一部分分子被蒸发掉， 另一部分残留分子产生热分解而固定在吸附处（化学吸附）。 当半导体的功函数小于吸附分子的亲和力(气体的吸附和渗透特性)时，吸附分子将从器件夺得电子而变成负离子吸附，半导体表面呈现电荷层。; 例如氧气等具有负离子吸附倾向的气体被称为氧化型气体或电子接收性气体。 如果半导体的功函数大于吸附分子的离解能，吸附分子将向器件释放出电子，而形成正离子吸附。 具有正离子吸附倾向的气体有H2、CO、碳氢化合物和醇类，它们被称为还原型气体或电子供给型气体。; 当氧化型气体吸附到N型半导体上，还原型气体吸附到P型半导体上时，将使半导体载流子减少，而使电阻值增大。 当还原型气体吸附到N型半导体上，氧化型气体吸附到P型半导体上时，则载流子增多，使半导体电阻值下降。; 图9-1表示了气体接触N型半导体时所产生的器件阻值变化情况。; N型半导体吸附气体时器件阻值变化图 ; ; ; 9.1.3 半导体气敏传感器类型及结构 1. 电阻型半导体气敏传感器 ;烧结型气敏器件; 烧结型气敏器件以SnO2半导体材料为基体，将铂电极和加热丝埋入SnO2材料中， 用加热、加压、温度为700~900℃的制陶工艺烧结成形。 因此，被称为半导体陶瓷，简称半导瓷。; 半导瓷内的晶粒直径为1μm左右，晶粒的大小对电阻有一定影响，但对气体检测灵敏度则无很大的影响。 烧结型器件制作方法简单，器件寿命长； 但由于烧结不充分，器件机械强度不高，电极材料较贵重，电性能一致性较差，因此应用受???一定限制。 ; 薄膜型器件; 薄膜型器件采用蒸发或溅射工艺， 在石英基片上形成氧化物半导体薄膜（其厚度小于100nm），制作方法简单。 SnO2半导体薄膜的气敏特性最好， 但这种半导体薄膜为物理性附着，因此器件间性能差异较大。 ; 厚膜型器件 ; 厚膜型器件将氧化物半导体材料与硅凝胶混合制成能印刷的厚膜胶， 再把厚膜胶印刷到装有电极的绝缘基片上，经烧结制成的。 元件机械强度高，离散度小，适合大批量生产。 ; 这些器件全部附有加热器。 加热器的作用: 将附着在敏感元件表面上的尘埃、油雾等烧掉，加速气体的吸附，从而提高器件的灵敏度和响应速度。 加热器的温度一般控制在200~400℃左右。 ; 加热方式有直热式和旁热式两种，因而形成了直热式和旁热式气敏元件。 直热式气敏器件的结构及符号如图9-3所示。;直热式气敏器件的结构及符号 (a) 结构； (b) 符号; 直热式器件是将加热丝、 测量丝直接埋入SnO2或ZnO等粉末中烧结而成的， 工作时加热丝通电，测量丝用于测量器件阻值。 这类器件制造工艺简单、成本低、功耗小，可以在高电压回路下使用， ; 但热容量小，易受环境气流的影响，测量回路和加热回路间没有隔离而相互影响。 国产QN型和日本费加罗TGS＃109型气敏传感器均属此类结构。 旁热式气敏器件的结构及符号如图9-4所示。; 旁热式气敏器件的结构及符号 (a) 旁热式结构； (b) 符号; 将加热丝放置在一个陶瓷管内，管外涂梳状金电极作测量极，在金电极外涂上SnO2等材料。 旁热式结构的气敏传感器克服了直热式结构的缺点，使测量极和加热极分离， ; 旁热式气敏器件的结构及符号 (a) 旁热式结构； (b) 符号; 而且加热丝不与气敏材料接触，避免了测量回路和加热回路的相互影响， 器件热容量大，降低了环境温度对器件加热温度的影响， 所以这类结构器件的