第七章 MOS存储器.ppt

§7-1 存储器的结构 思考题1. 存储器一般由哪几部分组成？2.设计译码电路时应注意什么问题？3.多级译码电路有什么优点？ ？ ?7.1.1 存储器的结构图 ?7.1.2 存储体 ?7.1.3 地址译码器 ?7.1.4 行地址译码器 1.基本原理 ?7.1.4 行地址译码器 2.多级译码技术 ?7.1.4 行地址译码器 3.地址同步控制 ?7.1.4 行地址译码器4.电路优化设计 ?7.1.5 列地址译码器 1.基本原理 ?7.1.5 列地址译码器 2.开关树的设计 ?7.1.6 读写控制及输入输出电路 §7-2 Mask ROM 思考题1. Mask ROM 的特点是什么？2. Mask ROM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？ ?7.2.1 Mask ROM的特点 ?7.2.2 E/D NMOS或非存储阵列 ?7.2.3 准NMOS或非存储阵列 ?7.2.4 预充低功耗结构或非存储阵列第一行有误 串行了 ?7.2.5 预充结构与非存储阵列 ?7.2.6 母片形式的与非存储阵列 ?7.2.7 与或非存储阵列 ?7.2.8 输出电路 ?7.2.8 Mask ROM应用实例 1. 96字符发生器 ?7.2.8 Mask ROM应用实例 2.液晶七段数码显示器 §7-3 EPROM 思考题1. EPROM 的特点是什么？2. EROM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？ ?7.3.1 EPROM的特点 ?7.3.2 FAMOS结构存储单元 1.FAMOS 器件结构 ?7.3.2 FAMOS结构存储单元 2.FAMOS浮栅充电原理 ?7.3.2 FAMOS结构存储单元 3.FAMOS存储单元阵列 ?7.3.3 SIMOS结构存储单元 1.SIMOS器件结构 ?7.3.3 SIMOS结构存储单元 2.SIMOS浮栅充电原理 ?7.3.3 SIMOS结构存储单元 3. SIMOS存储单元阵列 §7-4 EEPROM 思考题1. EEPROM 的特点是什么？2. EEROM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？ ?7.4.1 EEPROM的特点 ?7.4.2 Flotox结构存储单元 1. Flotox 器件结构 ?7.4.2 Flotox结构存储单元 2. F-N隧道效应 (Fowler-Nordheim) ?7.4.2 Flotox结构存储单元 3. 浮栅充电 ?7.4.2 Flotox结构存储单元 4. 浮栅放电 ?7.4.2 Flotox结构存储单元 5. Flotox 结构的 存储单元阵列 ?7.4.3 MNOS结构存储单元 1. MNOS 器件结构 ?7.4.3 MNOS结构存储单元 2.直接隧道效应 ?7.4.3 MNOS结构存储单元 3. MNOS结构的 存储单元阵列 ?7.4.4 片内高压产生电路（电荷泵） §7-5 SRAM 思考题1. SRAM 的特点是什么？2. SRAM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？3. SRAM读出放大器的作用是什么？4. 多端口SRAM的优点是什么？ ?7.5.1 SRAM的特点 ?7.5.2 SRAM存储单元电路 ?7.5.3 SRAM存储单元工作原理 ?7.5.4 SRAM存储单元版图 ?7.5.5 SRAM的数据输入/输出电路 ?7.5.6 SRAM的读出放大电路 ?7.5.7 SRAM整体结构电路示意图 ?7.5.8 单端口SRAM的特点 ?7.5.9 多端口SRAM单元 1. 1读1写两端口单元 ?7.5.9 多端口SRAM单元 2. 2读1写三端口单元 ?7.5.10 多端口SRAM的特点 §7-6 DRAM 思考题1. DRAM 的特点是什么？2. DRAM是如何存储信息“0”和信息“1”的 ？2. DRAM为什么需要读出再生放大器？ ?7.6.1 DRAM的特点 ?7.6.2 DRAM单管存储单元的结构 ?7.6.3 DRAM单管存储单元的工作原理 1. 信息的写入 ?7.6.3 DRAM单管存储单元的工作原理 2. 信息的读出 ?7.6.4 DRAM存储阵列 ?7.6.5 DRAM读出时的问题 ?7.6.6 DRAM虚拟单元的设置 ?7.6.7 DRAM的读出、再生放大器