GeH_层间弱相互作用调控锗烯电子结构的机制_武红【16物理学报】探究.pdfVIP

物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 9 (2016) 096801 GeH/π层间弱相互作用调控锗烯 电子结构的机制? 武红1)2) 李峰1)2)? 1)(南京邮电大学理学院, 南京 210046) 2)(南京师范大学化学与材料科学学院, 南京 210046) ( 2015年 12月 22日收到; 2016年 2月 5日收到修改稿 ) 锗烯是继石墨烯、硅烯发现以来最重要的二维纳米材料之一, 以其优异的物理化学性质迅速得到人们的 广泛关注. 然而, 锗烯具有的零带隙能带特点 (狄拉克点)极大程度地限制了其在微电子纳米材料方面的应用. 本文采用范德华力修正的密度泛函计算方法, 研究了锗烯、锗烷、锗烯/锗烷的几何和电学性质. 研究发现, 锗 烯和锗烷可以通过弱相互作用形成稳定的双层结构, 并在锗烯中打开一个 85 meV的带隙. 电子结构分析表 明, Ge—H/π的存在破坏了锗烯子晶格的对称性, 从而在狄拉克点上打开一个带隙. 差分电荷密度图分析表 明有部分电荷从H原子的 s轨道转移至Ge的pz轨道. 该电荷转移机制增强了锗烯与锗烷之间的相互作用力, 是形成锗烯/锗烷双层二维纳米结构的主要原因. 进一步研究还发现, 锗烷/锗烯/锗烷的三明治结构无法在锗 烯中打开带隙. 这是由于两侧的锗烷对夹层的锗烯作用力等价, 无法破坏锗烯的子晶格对称性, 所以无法打 开锗烯带隙. 最后, 所有计算结果都在高精度杂化密度泛函HSE06计算精度下得到进一步验证. 因此, 本文 从理论上提出了一种切实可行的打开锗烯狄拉克点的方法, 为锗烯在场效应管和其他纳米材料中的应用提供 了理论指导. 关键词: 锗烯, 锗烷, 弱相互作用, 密度泛函 PACS: 68.03.Hj, 68.65.–k, 73.90.+f, 71.15.Mb DOI: 10.7498/aps.65.096801 1 引 言 石墨烯自 2004年首次在实验室合成以来一直 受到了研究者们的广泛关注 [1,2]. 十多年来, 石墨 烯材料的研究已经发展成为一个全新的研究领域, 并促使人们寻找其他类似的二维晶体材料, 如硅 烯 [3], h-BN [4], MoS2 [5,6]、黑磷等. 与石墨烯类似, 锗烯是一种由锗原子 sp2杂化形成的单原子厚度的 准二维纳米材料 [7,8]. 2014年, Li 等首次在Pt(111) 金属表面生长出了单层锗烯纳米材料, 随后人们 在Ag(111) [9]和Au(111)表面也成功制备了单层锗 烯. 研究发现, 锗烯与石墨烯十分类似, 同时具有 诸多优异的物理化学性质, 如超高的电子迁移率 (～106 m/s)、量子自旋霍尔效应 [10,11]和优异的抗 拉伸特性等 [12], 这使得锗烯在半导体材料、导电电 极、超导材料、生物传感器等方面具有重要的应用 潜力. 此外, 锗烯与以硅、锗为基础的现代半导体 工业兼容度很高, 这也是促使人们广泛关注锗烯的 另一个重要因素. 然而, 锗烯是一种半金属材料, 即无带隙材料, 而经典的微电子器件需要一个合适 的带隙用于开关电路电流. 因此, 要实现锗烯的纳 米器件化, 必须要在锗烯材料中打开一个合适的 带隙. 共价功能化方法 (covalent functionalization) 是一种有效打开锗烯带隙的方法. 2011年, Houssa 等 [13]在理论上首次预言了全氢化锗烯的存在, 即 锗烷. 研究认为, 通过氢化可以将锗原子的 sp2 ? 国家博士后基金 (批准号: 2015M581824)和江苏省博士后基金 (批准号: 1501070B)资助的课题. ? 通信作者. E-mail: njustlifeng@163.com ? 2016 中国物理学会 Chinese Physical Society 096801-1 物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 9 (2016) 096801 杂化转化为 sp3杂化, 从而使锗烷表现出半导体 特性. 2013年, Bianco等 [14]首次在实验上通过 机械剥离法得到了单层锗烷, 证实了锗烷是一个 具有约 3.2 eV宽带隙的直接带隙半导体. 同年, Jiang等 [15]通过一步共价甲基法 (one-step cova- lent methyl-termination)的化学方法也合成出了 锗烷. 然而, 对于实际应用而言, 通过共价功能化 方法打开的带隙往往过大, 同时锗原子的 sp3杂化 会显著降低材料的载流子迁移率, 最终降低锗烯的 电学性能. 近年来, 大量的实验和理论研究都表明, 弱相 互作用不仅仅可以将不同二维材料组装起来, 而且 可以有效调节材料的电子性质. 例如, F