层状二硫化钼进展_顾品超探究.pdfVIP

物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 1 (2016) 018102 综 述 层状二硫化钼研究进展? 顾品超 张楷亮? 冯玉林 王芳 苗银萍 韩叶梅 张韩霞 (天津理工大学电子信息工程学院, 天津市薄膜电子与通信器件重点验室, 天津 300384) ( 2015年 8月 13日收到; 2015年 9月 16日收到修改稿 ) 近年来, 层状二硫化钼由于其特殊的类石墨烯结构和独特的物理化学性质已成为国内外研究的热点. 本 文综述了层状二硫化钼的物理结构、价带结构和光学性质; 介绍了制备方法, 包括生长制备和剥离制备. 生长 制备的原料包括四硫代钼酸铵 ((NH4)2MoS4)、钼 (Mo)和三氧化钼 (MoO3)等. 剥离制备包括微机械剥离、液 相超声法、锂离子插层法和电化学锂离子插层法等. 归纳了层状二硫化钼在场效应晶体管、传感器和存储方面 的应用, 展望了层状二硫化钼的研究前景. 关键词: 层状二硫化钼, 物理结构, 制备方法, 电子器件 PACS: 81.10.–h, 68.35.bg, 61.46.Hk DOI: 10.7498/aps.65.018102 1 引 言 自从 2004年英国曼切斯特大学Novoselov 等 [1]成功剥离获得石墨烯以来, 石墨烯得到了 广泛的研究. 但是由于石墨烯是天然的零带隙, 这 极大地限制了石墨烯在集成电路 (IC)方面的应用, 虽然能够人工制造带隙, 但需要花费巨大的精力. 除了石墨烯外, 其他二维材料也引起了广泛的关注 和研究, 例如过渡族金属二硫化物, 其中二硫化钼 (MoS2)受到特别关注. MoS2不同于硅材料的三维 结构, 具有二维的层状结构, 能够制造出体积更小、 性能更高的器件, 被认为是一种能够延续摩尔定律 的材料, 比传统的硅材料在纳米电子器件中更具有 优势. 自 20世纪 60年代开始, MoS2在电池、润滑 和催化等领域有着广泛的研究. 近年来, 层状的二 维MoS2的半导体特性使其在纳米电子方面有着广 泛的研究前景. 单层的MoS2 是两层硫原子夹着一 层钼原子的 “三明治”夹心结构, 层与层之间靠范 德华力结合在一起, 每层之间的距离约为 0.65 nm. MoS2有着独特的夹带结构, 随着层数的减少, 带隙 越来越大, 当单层时, MoS2从间接带隙变成直接带 隙. 本文综述了二维MoS2的几何结构、能带结构、 光学性质、制备方法及其在场效应晶体管、传感器 和存储等方面的应用, 并展望了应用前景. 2 MoS2的基本性质 2.1 MoS2的结构 MoS2属于过渡族金属二硫化物 (TMDC) [2], TMDC的化学形式为MX2, 其中M来自元素周期 表的 IV族 (Ti, Zr, Hf等)、V族 (V, Nb, Ta)和VI族 (Mo, W等), 而X代表S, Se, Te. 在二维的TMDC 中, 包括三种性质: 金属性、半金属性和半导体性, 如图 1所示. MoS2就拥有半导体性, 二维的MoS2 在光电子和纳电子器件的应用中有着巨大的潜力. ? 国家自然科学基金 (批准号:、教育部新世纪优秀人才支持计划 (批准号: NCET-11-1064)、天津市 科技计划 (批准号: 13JCYBJC15700, 13JCZDJC26100, 14JCZDJC31500, 14JCQNJC00800)和天津市高等学校科技发展基金 (批准号:资助的课题. ? 通信作者. E-mail: kailiang_zhang@163.com ? 2016 中国物理学会 Chinese Physical Society 018102-1 物 理 学 报 Acta Phys. Sin. Vol. 65, No. 1 (2016) 018102 3d transition metal dichalcogenide MX2 MX2 MX2 MX2 MX2 T, H are unstable T, H are stable Ec[T] Ec[H] T, H are stable Ec[T] Ec[H] T+=Half-metal T*, H*=Metal T**, H**=Semiconductor Only H is stable Only T is stable 图 1 44种MX2化合物的金属性和 1T型, 2H型稳定性总结 [2] Fig. 1. Metallicity of 44 MX2 compounds and the stability of 1T and 2H [2]. 块状的MoS2是六方晶系的层状结构,