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初识半导体制造工艺 教学目的： 1 了解基本半导体元器件结构 2 了解半导体器件工艺的发展历史 3 了解集成电路制造阶段 4 了解半导体制造企业 5 了解基本的半导体材料 6 熟悉半导体制造中使用的化学品 7 熟悉芯片制造的生产环境 教学重点： 集成电路制造阶段、半导体制造中使用的化学品、芯片制造的生产环境 教学难点： 基本半导体元器件结构 教学过程： 1.1引言 1.2 基本半导体元器件结构 1.2.1 无源元件结构 1. 集成电路电阻的结构 2.集成电路电容结构 1.2.2 有源器件结构 有源器件，如二极管和晶体管与无源元件在电子控制方式上有很大差别，可以用于控制电流方向，放大小的信号，构成复杂的电路。这些器件与电源相连时需要确定电极（+或-）。工作时利用了电子和空穴的流动。 1.二极管的结构 2.晶体管的结构 3.场效应晶体管的结构 4. CMOS结构 1.3 半导体器件工艺的发展历史 1.4 集成电路制造阶段 1.4.1 集成电路制造的阶段划分 半导体集成电路制造一般包括以下几大部分：硅片（晶圆）的制备、掩膜版的制作、硅片的制造及元器件封装，如图1?20所示。值得一提的是半导体制造的各个部分并不是由一个工厂来完成的，而是由不同的工厂分别来完成，也就是说硅片制备有专门的制造企业，制备硅片的企业并不进行硅片的制造，它只为硅片制造厂提供硅片，而硅片制造厂从硅片制备厂买来所需要的硅片，进行硅片制造，而制造中所用到的掩膜版也由专门的生产企业来提供，硅片制造完成的芯片的封装也不由硅片制造企业完成，而是由封装企业来完成，这样做可以减少设备的维护费用。 硅片制备 将硅从沙中提炼并纯化，形成半导体级的多晶硅。 芯片制造 硅片到达硅片制造厂，经过清洗、成膜(氧化、淀积)、光刻、刻蚀和掺杂(扩散、离子注入)等主要工艺之后，加工完成的硅片具有永久刻蚀在硅片上的完整的集成电路。 (3)掩膜版制作 掩膜版中包括构成芯片的各层图形结构，现在最常用的掩膜版技术是石英玻璃涂敷铬，在石英玻璃掩膜版表面的铬层上形成芯片各层结构图形。 (4)装配与封装 芯片制造完成后，封装之前芯片要经过测试/拣选进行单个芯片的电学测试，拣选出合格芯片和不合格芯片，并作出标识，合格芯片包装在保护壳体内。 (5)终测 为了确保芯片的功能，要对每个被封装的集成电路进行测试，以保证芯片的电学和环境特性参数满足要求，即保证发给用户的芯片是合格芯片。 1.4.2 集成电路时代划分 1.4.3 集成电路制造的发展趋势 电子器件中不论是电子管还是晶体管，一般都具有这样的特点：随着它们结构尺寸的缩小，将会使工作速度增加，使功耗降低，其结果是使速度提高与晶体管的尺寸缩小的同时，集成电路的性能将获得改善。同时，由于尺寸的减小，有可能容纳更多的元器件，从而通过提高集成度，扩大功能。就可靠性来考虑，随着集成规模的增大，使印制电路板上的焊点数减少，从而使每个元器件的故障率降低。 (1) 提高芯片的性能 芯片的性能一般包括两方面的内容，一是芯片的工作速度，二是芯片工作过程中的功耗。 1.4 集成电路制造阶段 (2)提高芯片的可靠性 芯片的可靠性主要指芯片寿命。 (3)降低芯片的成本 半导体芯片的价格一直持续下降。 1.5 半导体制造企业 (1)设计/制造企业 许多企业都集合了芯片设计和芯片制造，从芯片的前端设计到后端加工都在企业内部完成。 (2)代工企业 在芯片制造业中，有一类特殊的企业，专门为其他芯片设计企业制造芯片，这类企业称为晶圆代工厂。 1.6 基本的半导体材料 1.6.1 硅——最常见的半导体材料 20世纪50年代初期以前，锗是半导体工业应用得最普遍的材料之一，但因为其禁带宽度较小（仅为0．66eV），使得锗半导体的工作温度仅能达到90℃（因为在高温时，漏电流相当高）。锗的另一个严重缺点是无法在其表面形成一稳定的且对掺杂杂质呈钝化性的氧化层，如二氧化锗（GeO2）为水溶性，且会在800℃左右的温度自然分解。相比而言，硅的禁带宽度较大（1．12eV），硅半导体的工作温度可以高达200℃。硅片表面可以氧化出稳定且对掺杂杂质有极好阻挡作用的氧化层（SiO2），这个特性使得硅在半导体的应用上远优于锗，因为氧化层可以被用在基本的集成电路结构中。 1980年以后半导体界曾对GaAs的应用产生极高的期待，这是因为GaAs具有更高的电子迁移率，而且具有直接禁带宽度，但因为高品质及大尺寸的GaAs不易获得，所以终究无法取代硅单晶材料在半导体业的地位。 (1)硅的丰裕度 硅是地球上第二丰富的元素，占到地壳成分的25%，经合理加工，硅能够提纯到半导体制造所需的足够高的纯度，而消耗的成本比较低。 (2)更高的熔化温度允许更宽的工艺容限