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ALD技术发展及应用 ALD- Atomic Layer Deposition（原子层沉积） 随着微电子行业的发展, 集成度不断提高、器件尺寸持续减小, 使得许多传统微电子材料和科技面临巨大挑战, 然而原子层沉积(ALD)技术作为一种优异的镀膜技术, 因其沉淀的薄膜纯度高、均匀性及保行性好, 还能十分精确地控制薄膜的厚度与成分, 仍然备受关注并被广泛应用于半导体、光学、光电子、太阳能等诸多领域。 ALD技术的主要优点 ?前驱体是饱和化学吸附，保证生成大面积均匀性的薄膜 ?可生成极好的三维保形性化学计量薄膜，作为台阶覆盖和纳米孔材料的涂层 ?可轻易进行掺杂和界面修正 ?可以沉积多组份纳米薄片和混合氧化物 ?薄膜生长可在低温（室温到400℃）下进行 ?固有的沉积均匀性，易于缩放，可直接按比例放大 ?可以通过控制反应周期数简单精确地控制薄膜的厚度，形成达到原子层厚度精度的薄膜 ?对尘埃相对不敏感，薄膜可在尘埃颗粒下生长 ?排除气相反应 ?可广泛适用于各种形状的基底 ?不需要控制反应物流量的均一性 一个ALD沉淀周期可以分为4个步骤： （1）第一种反应前驱体与基片表面发生化学吸附或者反应； （2）用惰性气体将多余的前驱体和副产物清除出反应腔体； （3）第二种反应前驱体与基片表面的第一种前驱体发生化学反应，生成薄膜； （4）反应完全后，在用惰性气体将多余的前驱体以及副产物清除出腔体。 (1)挥发性好(易液化)。 (2)高反应性。 (3)良好的化学稳定性。 (4)不会对薄膜或基片造成腐蚀且反应产物呈惰性。 (5)液体或气体为佳。 (6)材料没有毒性, 防止发生环境污染。 前驱体具有的特点 前驱物的自约束条件 吸附达到饱和 不再继续生长 ALD特征 对沉积薄膜的内在影响 实际应用中的优势 自约束的表面反应 薄膜厚度只取决于循环次数 精确控制薄膜厚度, 形成达到原子层厚度精度的薄膜 前驱物是交替通入反应室 以精确控制薄膜成分, 避免了有害物质的污染 前驱体是饱和化学吸附 很好的台阶覆盖率及大面积厚度均匀性 连续反应 薄膜无针孔、密度高 三种常见的ALD技术 T-ALD PE-ALD EC-ALD 热处理原子层沉积(Thermal-ALD , T-ALD)法是传统的、现在仍广泛使用的ALD 方法。它是利用加热法来实现ALD 的技术。 PE-ALD 等离子体增强(Plasma-Enhanced ALD , PE-ALD)工艺是等离子体辅助和ALD 技术的结合。通过等离子体离解单体或反应气体, 提供反应所需的活性基团, 替代原来ALD 技术中的加热。 EC-ALD 电化学原子层沉积(Electrochemical ALD , EC-ALD)将电化学沉积和ALD 技术相结合,用电位控制表面限制反应, 通过交替欠电位沉积化合物组分元素的原子层来形成化合物,又可以通过欠电位沉积不同化合物的薄层而形成超晶格。 T-ALD PE-ALD相比较T-ALD，具有如下几个优点 具有更快的沉积速率和较低的沉积时间 降低了薄膜生长所需的温度 单体可选择性强 可以生长出优异的金属薄膜和金属氮化物 EC-ALD相比较T-ALD，具有如下几个优点 EC-ALE 法所用的主要设备有三电极电化学反应池恒电位仪和计算机, 工艺设备投资相对小, 降低了制备成本; 作为一种电化学方法膜可以沉积在设定面积或形状复杂的衬底上; 由于沉积的工艺参数(沉积电位、电流等)可控, 故膜的质量重复性, 均匀性, 厚度和化学计量可精确控制 ; 不同于其它热制备方法, EC-ALE 的工艺过程在室温下进行, 最大程度地减小了不同材料薄膜间的互扩散, 同时避免了由于不同膜的热膨胀系数不同而产生的内应力, 保证了膜的质量。 方法 ALD MBE CVD Sputter Evapor PLD 厚度的均匀性 好 较好 好 好 较好 较好 薄膜密度 好 好 好 好 不好 好 台阶覆盖 好 不好 多变 不好 不好 不好 界面质量 好 好 多变 不好 好 多变 原料的数目 不好 好 不好 好 较好 不好 低温沉积 好 好 多变 好 好 好 沉积速率 不好 不好 好 好 好 好 工业适用性 好 较好 好 好 好 不好 高K介质材料 集成器件的小型化给当前材料的持续使用带来了严峻的挑战。在传统的微电子电路，由于二氧化硅介电层的物理限制，由硅/二氧化硅/金属组成的电容器，将无法运作。在纳米尺寸的二氧化硅的介电常数（κ）不足以防止泄漏电流，导致不必要的电容放电。新的更高的κ材料正在考虑。 1.5-10 nm厚层Zr、Hf和铝硅氧化物，ALD的生长过程产生的电流比SiO2的等效厚度具有更低的栅极漏。 ALD 制备的新型超薄TiO2/ Si3N4 叠栅介质薄膜具有优良的表面界面特