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* 2016年浙江省新高考选考科目猜题卷题选 物理试题三 15.甲、乙两种金属发生光电效应时,光电子的最大初动能与入射光频率间的关系分别如图中a、b所示.下列判断正确的是 A.图线a与b不一定平行 B.乙金属的截止频率大于甲金属的截止频率 C.改变入射光强度不会对图线a与b产生任何影响 D.甲乙两种金属发生光电效应时,若光电子的最大初动能相同,甲金属的入射光频率大 Ek O ν a b 小 16.如图所示,一束太阳光经过玻璃三棱镜后,被分解成各种色光.在接收屏(与三棱镜侧面平行)上形成宽度为L的彩色光带.现将一较厚的平行玻璃砖竖直插入到三棱镜的左侧,我们会看到 A.彩带整体上移 B.彩带整体下移 C.彩带宽度L变大 D.彩带宽度L变小 L 22.扫描电子显微镜在研究微观世界里有广泛的应用,通过磁聚焦之后的高能电子轰击物质表面,被撞击的样品会产生各种电磁辐射,通过分析这些电磁波就能获取被测样品的各种信息.早期这种仪器其核心部件如图甲所示.其原理如下:电子枪发出的电子束,进入磁场聚焦室,如图甲.其原理如下:电子枪发出的电子书,进入磁场聚焦室,如图甲,聚焦磁场有通电直导线产生,磁场通过“释放磁场的细缝”释放而出,通过控制“释放磁场细缝”的宽度、磁场的强弱和方向使电子进行偏转,让聚焦之后的电子集中打在样品上.⑴要使射入聚焦室的电子发生图乙偏转,请说明图甲中左侧和右侧通电指导线的电流方向(只要回答向上或者向下) 22.核心部件如图甲所示.原理如下:电子枪发出的电子束,进入磁场聚焦室,如图甲.其原理如下:电子枪发出的电子书,进入磁场聚焦室,如图甲,聚焦磁场有通电直导线产生,磁场通过“释放磁场的细缝”释放而出,通过控制“释放磁场细缝”的宽度、磁场的强弱和方向使电子进行偏转,让聚焦之后的电子集中打在样品上.⑴要使射入聚焦室的电子发生图乙偏转,请说明图甲中左侧和右侧通电指导线的电流方向(只要回答向上或者向下) 左侧的通电直导线的电流方向向下 右侧的通电直导线的电流方向向下 22.核心部件如图甲所示.原理如下:电子枪发出的电子束,进入磁场聚焦室,如图甲.其原理如下:电子枪发出的电子书,进入磁场聚焦室,如图甲,聚焦磁场有通电直导线产生,磁场通过“释放磁场的细缝”释放而出,通过控制“释放磁场细缝”的宽度、磁场的强弱和方向使电子进行偏转,让聚焦之后的电子集中打在样品上.⑵图乙为聚焦磁场的剖面图,要产生图示的聚焦效果,请定性说明该平面中磁场的分布情况; 越靠近中心线处的磁感应强度越小,左右大小对称. 22.⑶研究人员往往要估测聚焦磁场区域中各处磁感应强度大小,为了研究方便假设电子运动经过的磁场为匀强磁场,若其中一个电子从A点射入(如图丙所示),从A点正下方的A′点射出,入射方向与OA的夹角等于出射方向与O′A′的夹角,电子最终射向放置样品的M点,求该磁感应强度的大小.已知OA=O′A′=d,AA′=L,O′M=h,电子速度大小为v,质量为m,电量为e. A′ O′ A O M L h d 23.如图所示,电阻不计的两光滑金属导轨相距L,放在水平绝缘桌面上,半径为R的l/4圆弧部分处在竖直平面内且与水平直轨道在最低点相切,水平直导轨部分处在磁感应强度为B,方向竖直向下的匀强磁场中,末端与桌面边缘平齐.两金属棒ab、cd垂直于两导轨且与导轨接触良好.棒ab质量为2m,电阻为r,棒cd的质量为m,电阻为r.重力加速度为g.开始时棒cd静止在水平直导轨上,棒ab从圆弧顶端无初速度释放,进入水平直导轨后与棒cd始终没有接触并一直向右运动,最后两棒都离开导轨落到地面上.棒ab与棒cd落地点到桌面边缘的水平距离之比为3:1.求:⑴棒ab和棒cd离开导轨时的速度大小; ′1 v ab棒进入水平导轨时: ab棒与cd棒在水平导轨上运动过程 23.如图所示,电阻不计的两光滑金属导轨相距L,放在水平绝缘桌面上,半径为R的l/4圆弧部分处在竖直平面内且与水平直轨道在最低点相切,水平直导轨部分处在磁感应强度为B,方向竖直向下的匀强磁场中,末端与桌面边缘平齐.两金属棒ab、cd垂直于两导轨且与导轨接触良好.棒ab质量为2m,电阻为r,棒cd的质量为m,电阻为r.重力加速度为g.开始时棒cd静止在水平直导轨上,棒ab从圆弧顶端无初速度释放,进入水平直导轨后与棒cd始终没有接触并一直向右运动,最后两棒都离开导轨落到地面上.棒ab与棒cd落地点到桌面边缘的水平距离之比为3:1.求:⑵棒ab在水平导轨上的最大加速度; ′1 v ab棒刚进入水平导轨时,ab棒受到的安培力最大 23.如图所示,电阻不计的两光滑金属导轨相距L,放在水平绝缘桌面上,半径为R的l/4圆弧部分处在竖直平面内且与水平直轨道在最低点相切,水平直导轨部分处在磁感应强度为B,方向竖直向下的匀强磁场中,末端与桌面边缘平齐.
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