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第6章 化学气相淀积工艺工艺 第6章 化学气相淀积工艺 本章（4学时）目标： 一、化学气相淀积概述 二、化学气相淀积方法及设备 三、典型物质淀积介绍 4、其它淀积方法（**） 4、其它淀积方法（**） 4、其它淀积方法（**） 第6章 化学气相淀积工艺 三、典型物质淀积介绍 1、二氧化硅薄膜 2、多晶硅薄膜 3、氮化硅薄膜 2、多晶硅薄膜的淀积 2、多晶硅薄膜的淀积 2、多晶硅薄膜的淀积 2、多晶硅薄膜的淀积 2、多晶硅薄膜的淀积 3、氮化硅 3、氮化硅 3、氮化硅 激光脉冲淀积系统 6.4.1 CVD二氧化硅的方法 一、 低温CVD SiO2 硅烷为源的低温CVD SiO2 （1） 硅烷与氧气反应制备二氧化硅 化学反应式为： 由大量N2气稀释的SiH4与过量氧的混合气体，在加热到250-450℃ 的硅片表面上，硅烷和氧气反应生成SiO2并淀积在硅片表面，同时 发生硅烷的气相分解。 可以在APCVD系统、LPCVD系统或PECVD系统中实现。 温度： 在310-450℃之间，淀积速率随着温度的升高而缓慢增加，当升高到某个温度时，表面吸附或者气相扩散将限制淀积过程。 氧气与硅烷比率： 在恒定的温度下，可以通过增加氧气对硅烷的比率来提高淀积速率。但如果不断增加氧气的比例，衬底表面存在过量的氧会阻止硅烷的吸附和分解，最终将会导致淀积速率的下降。 当淀积的温度升高时，氧气对硅烷的比例一定要增加直到能够获得最大的淀积速率。如在325 ℃时，O2:SiH4=3:1，而在475 ℃时， O2:SiH4=23:1。 （2） 低温CVD SiO2的淀积速率 低温淀积二氧化硅薄膜的密度低于热生长二氧化硅，其折射系数大约为1.44，在HF酸溶液中也比热生长二氧化硅有更快的腐蚀速率。 对低温淀积的二氧化硅薄膜可在700-1000℃温度范围内进行热处理，以实现致密化。 （3） 薄膜的致密化 利用硅烷和N2O反应，在PECVD系统中实现低温二氧化硅薄膜的淀积，反应式如下： 当N2O:SiH4的比例较低时，形成富硅薄膜，而且二氧化硅中含有大量的氮，这将使薄膜的折射率增加。 另外，需要较低的淀积温度、较高的射频功率以及较大的气体流速来抑制气相成核所带来的颗粒污染问题。 （4） 硅烷与氧化氮反应制备二氧化硅 2. TEOS为源的低温CVD SiO2 硅烷一接触到空气就会燃烧，存在安全隐患。 工业上一般采用正硅酸四乙酯[Si(OC2H5)4]替代硅烷，也称为TEOS： 室温下是液体 化学性质不活泼 氮气携带（鼓泡瓶） 一定的温度下分解形成二氧化硅 以TEOS为源，低温下淀积的SiO2薄膜，同低温下以硅烷为源淀积的SiO2相比，具有更好的台阶覆盖和间隙填充特性。 由于等离子体的增强作用，在淀积速率相同情况下，淀积温度可以相对降低。 以TEOS为源的PECVD沉积SiO2，淀积温度在250-425℃之间、气压为266.6-1333Pa， TEOS与O2的反应如下： 通过加入硼酸三甲酯(TMB)和磷酸三甲酯(TMP)以实现B和P的掺杂。 在优化的淀积条件下， PECVD SiO2氧化层可以对深宽比为0.8的沟槽实现无空隙填充。但是对于更窄的间隙填充可能会形成空隙。 二、 中温LPCVD SiO2 在中等温度下，以TEOS为源LPCVD淀积的SiO2薄膜有更好的保形性。当淀积温度控制在680-730℃范围时，利用TEOS淀积未掺杂的二氧化硅薄膜，其淀积速率足以满足生产的要求，这种淀积是在LPCVD管状热壁反应室中进行的。 化学反应式为： 在650-800℃的温度范围内，TEOS CVD的淀积速率随着温度升高而指数增加。 淀积速率也依赖于TEOS的分压，在较低的分压时，二者成线性关系；当吸附在表面的TEOS饱和时，淀积速率开始趋向饱和。 在淀积过程中必须有足够量的氧才能保证较好的薄膜质量。TEOS中有4个O，在一定温度下通过分解也能淀积形成SiO2。但是由于TEOS中的O与C和H发生氧化反应，消耗了一部分O，因此在用TEOS为反应剂时，应加入足够的氧，才能保证较好的薄膜质量。 淀积速率： 三、 TEOS与臭氧混合源的二氧化硅淀积 在APCVD工艺过程中，在低于500℃时即使在TEOS中加入足够量的氧，淀积速率也不会得到显著提高。而加入臭氧(O3)做为反应