第一章半导体中的电子态综述.pptVIP

;1．刘恩科，朱秉升等《半导体物理学》第7版， 电子工业出版社2013年 2．田敬民，张声良《半导体物理学学习辅导与典型 题解》，电子工业出版社2005 3．Donald A. Neamen 著，赵毅强译，《半导体物理 与器件》，电子工业出版社，2005。 ;绪论;二、本课程在专业培养目标中的定位与课程目标 《半导体物理学》作为微电子专业的骨干课程之一，理论性和系统性较强，通过该课程的学习，使学生能较全面的掌握半导体物理的基础知识，基本概念，基本理论和基本方法，培养学生的逻辑思维和抽象思维能力，为学习后续的《微电子器件物理》和《集成电路工艺原理》和《模拟集成电路设计》和《数字集成电路设计》等其他专业课程的打下坚实的基础。同时学好这门课程对了解半导体行业未来的发展都是非常重要的。; 三、知识模块顺序及对应的学时 知识模块1：平衡态半导体的基本理论 第一章半导体的电子状态（8学时） 第二章半导体中的杂质和缺陷能级（4学时） 第三章 半导体中的载流子的统计分布（14学时） 第四章 半导体的导电性（4学时） 知识模块2：非平衡载流子的产生、复合和输运理论，16时 第五章 非平衡载流子（16学时） 知识模块3：半导体物理的应用 10学时 第十章 半导体的光学性质和发光现象（6学时） 第十二章 半导体的霍尔效应（4学时） 知识模块4：实践教学内容 16学时;四、课程的重点、难点及解决办法 重点之一：半导体中的电子状态和能带 重点之二：半导体的掺杂 重点之三：半导体中载流子的统计分布（难点之一） 重点之四：非平衡载流子的输运过程和连续性方程的应用 （难 点之二） 重点之三和四是半导体物理的核心内容，也是分析半导体器件工作原理和设计器件的基础，但也是大家学习的难点。在授课过程中，首先是进行定性的分析，帮助同学们理请思路，再定量推导计算。其次查找补充很多图象，借助形象的图形理解抽象的物理概念；最后，通过课堂实例分析讨论和课后练习加深对理论的理解和分析方法的应用。; 第一章 半导体中的电子态 1.1 半导体的晶格结构和结合性质 1.2 半导体中的电子状态和能带 1.3 半导体中电子的运动 有效质量 1.4 本征半导体的导电机构 空穴 1.6 硅、锗的能带结构 1.7 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的能带结构 1.8 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体的能带结构 ;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;;1.1 半导体的晶格结构和结合性质; 2.金 刚 石 晶 体 结 构和共价键（Si和Ge的结构） （ Si：a=5.43A; Ge:a=5.66A ; ?-SiC:a=4.35A， 金刚石 a=3.567A等）; 补充作业：;作业题1 ;作业题2;（100）;作业题3;1.1 半导体的晶格结构和结合性质;钎锌矿结构; 1.2.1 原子的能级和晶体的能带 1.2.2 半导体中电子的状态和能带 1.2.3 半导体、导体、绝缘体的能带结构 1.2.4 能带形成的定量化关系;1.2 半导体中的电子状态和能带  1.2.1 原子的能级和晶体的能带;b.两个相互靠近的原子;;例：半导体Si的能带结构的形成;Si的3s和3p态分裂为允带和禁带;半导体Si的能带形成示意图;n=1和n=2的两个较深的能带是满带。考虑n=3的能带，3s有两个量子态，3p有6个量子态，N个Si原子形成固体时，随着原子间距的减少，3s和3p互相作用并产生交迭，在平衡态的原子间距位置产生能带分裂，但每个原子中有四个量子态处于较底能带，4个量子态则处于较高能带。T=0k时，能量较低的价带是满带，能量较高的导带是空带。;价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间的不可以容纳电子的一系列能级 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;1.2.3 半导体、导体、绝缘体的能带结构;绝缘体禁带宽度大，常温下激发到导带的电子很少，导电性差。 半导体禁带宽度小，常温下已有不少电子被激发到导带中，所以具有一定的导电能力。如 Si:Eg=1.12eV, Ge:Eg=0.67eV. GaAs:Eg=1.43eV. 半导体中导带的电子和价带的空穴都参与导电，金属中只有电子做定向运动导电。 ;1.2.4 能带形成的定量化关系;1.2.4 能带形成的定量化关系;1.2.4