张顺论文答辩材料.ppt

论文答辩; 参考文献 ; 引言： ZnO 是一种宽带隙Ⅱ－Ⅵ族化合物半导体材料，ZnO 室温下的禁带宽度约为 3.37 eV，激子束缚能高达 60 meV，比其室温下的热离化能26 meV 大很多，非常适合用于制作短波长发光器件及紫外探测器。ZnO 与GaN 具有相同的晶体结构、相近的晶格常数和禁带宽度，相比于GaN，ZnO的熔点更高，热稳定性及化学稳定性更好。ZnO 单晶薄膜可以在低于500℃的生长温度下获得，比 GaN 等其他宽禁带半导体材料的制备温度低很多，因此可以大大减少高温制备所产生的缺陷。另外，ZnO 原材料资源丰富、价格低廉，无毒无污染，是一种绿色环保型材料，具有十分广阔的应用前景。; 绪论; 绪论; ZnO薄膜的制备方法及基本原理;ZnO薄膜的制备方法及基本原理; 3 .分子束外延法(MBE) 分子束外延法是在超高真空条件下精确控???原材料的中性分子即分子束的强度，把分子束射到加热的基片上外延生长。 4. 化学气相沉积法(CVD) 化学气相沉积法（CVD）是将含有构成薄膜元素的一种或几种化合物或单质气体，借助气相反应生成薄膜的方法。 5.金属有机物化学气相沉积 (MOCVD) 此方法是利用金属有机化合物进行金属输运的一种气相外延生长技术，载气体把金属有机化合物和其它气源携带到反应室中加热的衬底上方，随着温度的升高在气相和气固界面发生一系列物理和化学变化，最终在衬底表面上生成外延层。 ; 6 .喷雾热分解法 喷雾热解法（Spray pyrolysis）的主要原理是把反应物以气溶胶（雾）形式引入反应腔中沉积在基片上，在一定压力驱使下抵达高温基片表面并在其上发生裂解，形成薄膜。 7. 溶胶－凝胶法 一个呈液态分散、高度均匀的体系（溶液或液胶）经化学或物理方式的处理整体转变成一个呈类固态分散、高度均匀的体系（凝胶）的过程称为溶胶－凝胶过程，而利用这个过程制备材料就是溶胶－凝胶法。 ; 应用进展; 应用进展; 总结; 总结;