你是否对内存有足够的了解呢是不是还不太明白.doc

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 ?????? 你是否对内存有足够的了解呢?是不是还不太明白。那么,下面让我们一起来看一看关于内存的基本知识。?   1、卡槽——这是将内存条固定在插槽上的装置,以前的EDO内存是一个圆孔,现在的则是一个半圆形,更加方便装卸。?   2、ECC芯片——即通常所说的校验芯片,一般用户服务器等大数据量传输,对数据准确性要求比较高的场合。具有ECC校验的内存会有9块芯片(普通的内存条只有8块芯片)。?   3、金手指——这是内存和插槽接触的部分,以前的EDO内存只有72线,使用8V电压。目前主流的SDRAM内存是168线(即144个引脚),使用3.3V电压,以后将要出现的DDR内存是184线,具有更优秀的性能。?   4、内存芯片——这是内存条的主要工作部分。我们平时说的“HY”的条子其实就是指的使用“HY芯片”的内存条,这种没有品牌的内存条由于价格便宜,因此在市场上还是有一定的用户。不过要是对内存的要求比较高的话,最好还是购买如“KingMax”等品牌内存条。?   5、SPD——随着内存规范的发展,我们可以看到在SDRAM内存条上开始加入了一个6针的小芯片,这块极小的芯片被称为SPD。SPD通常是一块容量为2K的EPROM,在内存出厂时,由厂家将该内存的性能指标及序列号等写入其中。用户在使用中,由支持SPD读取的主板将其内容取出,并在BIOS中内存类型为Auto的条件下,按SPD的内容设定内存的工作环境,目的在于使整机在最合适此内存的环境下运行,以加强稳定性。认识了内存的基本情况以后,我们再来看看与之有关的一系列术语:   1、时钟周期   时钟周期是一个时间的量,人们规定10纳秒(ns)为一个时钟周期。时钟周期表示了SDRAM所能运行的最高频率。更小的时钟周期就意味着更高的工作频率。对于PC100规格的内存来说,它的运行时钟周期应该不高于10纳秒。纳秒与工作频率之间的转换关系为:1000 / 时钟周期 = 工作频率。例如,标称10纳秒的PC100内存芯片,其工作频率的表达式就应该是1000 / 100 = 100MHZ,这说明此内存芯片的额定工作频率为100MHZ。目前市场上一些质量优秀的内存通常可以工作在比额定频率高的频率下,这为一些喜欢超频的朋友带来了极大的方便。例如KingMAX的PC100内存,此类内存多采用8纳秒的芯片,相对于其100MHZ的频率来说,频率提高的余地还很大,许多用户都可以让它们工作在133MHZ甚至更高的频率下。能不能超频使用很大程度上反应了内存芯片以及PCB板的质量。不过,仅仅凭借时钟周期来判断内存的速度还是不够的,内存CAS的存取时间和延迟时间也在一定程度上决定了内存的性能。   2、存取时间   现在让我们来看看内存的存取时间。首先应该澄清一个事实:目前大多数的SDRAM芯片的存取时间多为5、6、7、8或10纳秒,这个“纳秒”与上面所说的时钟周期中的“纳秒”不是一回事,它们分别表示了不同的意义。比如目前市场上最常见的内存条多采用HY的芯片。如果你仔细观察,就会发现内存芯片上会标有“-7J”或“-7K”的字样。有些朋友误将它理解为内存的时钟周期。其实,这里的-7J或-7K代表的是内存的存取时间为7纳秒而并不是时钟周期为7纳秒。当内存的存取时间为7纳秒时,它的时钟周期仍然是10纳秒,工作频率也为100MHZ。同样,高士达PC100的内存芯片上也同样有“-7”的字样,它与HY芯片上的-7J或-7K含义是相同的。因此,在购买的时候请不要将芯片上的存取时间和时钟周期相混淆。对于HY的PC100规格的条子来说,-7J或-7K才是合格的产品。而对于HY的PC133规格的内存条来讲,-7才是合乎规范的。   3、CAS的延迟时间   内存的CAS延迟时间和存取时间之间有着密切的联系。首先解释一下什么是内存的CAS延迟时间。所谓CAS延迟时间,就是指内存纵向地址脉冲的反应时间。CAS延迟时间是在一定频率下衡量支持不同规范内存的重要标志之一。在Intel公司的PC100内存技术白皮书中指出:“符合PC100标准的内存芯片应该以CAS Latency(以下简称CL)= 2的情况稳定工作在100MHZ的频率下。”CL=2所表示的意义是此时内存读取数据的延迟时间是两个时钟周期当CL=3时。内存读取数据的延迟时间就应该是三个时钟周期,因此,这“2”与“3”之间的差别就不仅仅局限于“1”了,而是1个时钟周期。工作在相同频率下的同种内存,将CL设置为2会得到比3更优秀的性能(当然你的内存必须支持CL=2的模式)。为了使主板正确地为内存设定CAS延迟时间,内存生产厂商都将其内存在不同工作频率下所推荐的CAS延迟时间记录在了内存PCB板上的一块EEPROM上,这块芯片就是我们所说的SPD。当系统开

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