用三氯氧磷为N型硅掺杂工艺指南学案.docxVIP

三氯氧磷作为N型硅掺杂剂的工艺 描述 氧氯化磷（POCl 3）是一种用于n型区到硅衬底上扩散液磷源。掺杂浓度可以控制以提供接近使用双极器件或轻掺杂区的固溶度水平MOS器件。掺杂材料可以用来形成双极器件的发射区，源/漏和掺杂的多晶硅MOS器件结构中的应用。 氧氯化磷（POCl 3）氧化在正常工艺温度与氧形成P 2 0 5。这种材料是由硅暴露在晶片表面形成元素反应降低磷和硅。在这一点上的磷扩散到硅的速度通过对加热炉温度的确定。扩散深度或结深，（XJ），发现用在炉内温度的材料的扩散系数。对氧化的化学反应POCl 3如下： 过程性能 掺杂进入扩散管必须加以控制，使电阻率量，保持过程的一致性和可重复性。这种控制是通过喷水保持化学和载气流量的精确控制恒定的温度来实现的。图1为材料的蒸气压曲线。最常使用的鼓泡装置温度是20°C。要保持鼓泡装置温度至少5°C降低温度比周围围绕连接鼓泡装置对炉管温度。这可以防止形成冷凝水从喷水导致扩散管的线。这也是确保选择的化学温度会使气体控制器的操作单元的校准范围内重要。这是重要的当用热质量流量气体控制器。 载气的选择 最常见的载气，是用在工业氮气。氩还可以用于如果需要使用真正的惰性气体作为载气的化学。在任何情况下都应该氧气作为载气的化学。这是一个非常不安全的做法在过去是常见的行业内。这样的做法会引起鼓泡器和化学遏制损失的失败。惰性载气的选择是明智的安