第1章电学：电子离子导电.ppt

材料的电性能的差别主要由其外层电子来决定，而外层电子由于受原子核和周围势场的影响，使电子分布在不同能带上，从而导致了不同材料电性能的差别。 理想完整的晶体在绝对零度时的电阻为零. 电阻的产生总是伴随着晶体的不完整性。 为什么产生电阻？resistance （1）温度引起晶格的热振动加大，使晶格对自由电子的散射增大，产生电阻。thermal vibration （2）其它组元的加入及晶格畸变,引起晶格周期性势场的规律性和能带结构的改变等. crystal lattice aberrance;第1节 材料导电性能概述;为什么不同材料之间导电性具有如此巨大的区别哪？ 可用能带理论解释。;载流子（carrier; charge carrier ） 导电性源于载流子在电场作用下迁移运动。电荷的定向运动产生了电流，电荷的载体称为载流子。 载流子是具有电荷的自由粒子，在电场作用下可产生电流。 载流子: 电子、空穴、正、负离子、杂质。 不同材料的载流子 ①金属 ——自由电子 （电导率高 导电性好） ② 半导体——自由电子、空穴 ③离子固体——自由电子、空穴、正负离子 （室温绝缘体 T高 电导率大） （无机非金属） ④高分子材料—— 正负离子、杂质、共轭电子（导电性）; ;1、材料的电导;2、　决定电导率的基本参数 conductance parameters 载流子电量—— 电子、空穴、正离子、负离子 载流子数 charge carrier density----n, 个/m3 载流子迁移率 electron mobility--- μ ( 物理意义为载流子在单位电场中的迁移速度) μ= ?/E 电流密度——单位时间（1s） 通过单位截面积的电荷量） J＝ne? ;电流密度(J) :单位时间（1s）通过单位截面S的电荷量. J=nev 或 J=I/S 由 R =U/I R=ρl/ S E= U/ l ;载流子的迁移率的物理意义为：载流子在单位电场中的迁移速度。电导率的一般表达式为 该式反映电导率的微观本质，即宏观电导率σ与微观载流子的浓度n，每一种载流子的电荷量e以及每种载流子??迁移率的关系。 将主要依据此式来讨论电导的性能。;练习题：;第2节 电子类载流子导电; ●金属电阻包括： （1）基本电阻ρ(T) ：对应声子散射和电子散射两机制，由热 振动产生，与温度有关，0K时为0。 （2）残余电阻ρ残 ：对应电子在杂质和缺陷上的散射机制， 0K 时金属的电阻。反应了金属纯度和完整性。 ●马西森定律 马西森等人把固溶体电阻率看成由金属基本电阻率ρ(T)和残余电阻ρ残组成。 即ρ＝ρ（T）＋ρ残 称为马西森定律。 马西森定律忽略了电子各种散射机制间的交互作用，但简明描述了合金的导电性，低浓度固溶体与实验事实符合的很好。 根据马西森定律，在高温时金属的电阻率基本上取决于ρ(T) ，而在低温时取决于ρ残。既然ρ残是电子在杂质和缺陷上的散射引起的，那么ρ残的大小就可以用来评定金属的电学纯度。 考虑到ρ残测量困难，实际上常采用相对电阻率ρ(300K)/ ρ(4.2K)的大小来评定金属的电学纯度。晶体越纯、越完善，相对电阻率越大。许多完整的金属单晶相对电阻率可高达20000。 ;2.2冷加工和缺陷对电阻率的影响;2.2.2缺陷对电阻率的影响;2.3固溶体的电阻率;固溶体电阻率? ＝?0＋ ?′＋△ ? ?0表示固溶体溶剂组元的电阻率； ?′为剩余电阻率， ?′＝C △ ?，C是原子杂质含量 △ ?表示1％原子杂质引起的 附加电阻率， △为偏离马西森定律的值 它与温度和溶质有关，随溶质 浓度增加，偏离越严重 实验证明，除过渡族金属外，在 同一溶剂中溶入1%原子溶质金属所 引起的电