第1章硅的晶体结构.ppt

第一章 硅的晶体结构;Si晶体结构 晶向、晶面 缺陷、杂质;3;1.1 硅晶体结构的特点;晶格常数：晶胞与晶格的关系 可用三个向量a、b及c来表示，它 们彼此之间不需要正交，而且在 长度上不一定相同，称为晶格常 数。每个三维空间晶体中的等效 格点可用下面的向量组表示： R＝ma + nb + pc 其中m、n及p是整数。 ;简单立方晶格：在立方晶格的每一个角落，都有一个原子，且 每个原子都有六个等距的邻近原子。长度a称为晶格常数。在周 期表中只有钚(polonium)属于简单立方晶格。 体心立方晶格：除了角落的八个原子外,在晶体中心还有一个 原子。在体心立方晶格中，每一个原子有八个最邻近原子。钠 (sodium)及钨(tungsten)属于体心立方结构。;面心立方晶格:除了八个角落的原子外，另外还有六个原子在 六个面的中心。在此结构中，每个原子有12个最邻近原子。 很多元素具有面心立方结构，包括铝(aluminum)、铜(copper) 、金(gold)及铂(platinum)。;1.1.2 共价四面体;金刚石型结构特点： 每个原子周围都有四个最近邻的原子，组成一个正四面 体结构。这四个原子分别处在正四面体的顶角上，任一顶角 上的原子和中心原子各贡献一个价电子为该两个原子所共 有，组成四个共价键，它们之间具有相同的夹角（键角） 109°28′。;金刚石型结构的结晶学原胞 是立方对称的晶胞，可以看成是两个面心立方晶胞沿立 方体的空间对角线互相位移了1／4的空间对角线长度套构而 成的。原子在晶胞中排列的情况是：八个原子位于立方体的 八个角顶上，六个原子位于六个面中心上，晶胞内部有四个 原子。立方体顶角和面心上的 原子与这四个原子周围情况不 同，所以它是由相同原子构成 的复式晶格。;例题： 硅在300K时的晶格常数a为5.43?。请计算出每立方厘米体积中的硅原子数及常温下的硅原子密度。;例题: 假使将圆球放入一体心立方晶格中，并使中心圆球与立方体八个角落的圆球紧密接触，试计算出这些圆球占此体心立方晶胞的空间比率。?圆球半径定义为晶体中最小原子间距的一半，即 。;1.2 晶向、晶面和堆积模型;2. 晶向指数;3. 硅晶体不同晶向上的原子分布情况;1.2.2 晶面;关于米勒指数的一些其他规定： ( )：代表在x轴上截距为负的平面，如 {hkl}：代表相对称的平面群，如在立方对称平面中，可用{100}表示(100)，(010)，(001)， ， ， 六个平面。 [hkl]：代表一晶体的方向，如[100]方向定义为垂直于(100)平面的方向，即表示x轴方向。而[111]则表示垂直于(111)平面的方向。 hkl：代表等效方向的所有方向组，如100代表[100]、[010]、[001]、 、 、 六个等效方向的族群。 ;三、立方晶系的几种主要晶面;四、硅的常用晶面上的原子分布;1.3 硅晶体中的缺陷;1.3.1 点缺陷;22;二、空位和间隙原子 在一定温度下，晶格原子不仅在平衡位置附近做振动运 动，而且有一部分原子会获得足够的能量，克服周围原子对 它的束缚，挤入晶格原子间的间隙，形成间隙原子，原来的 位置便成为空位： 这时间隙原子和空位是成对出现的，称为弗仑克耳缺陷； 若只在晶体内形成空位而无间隙原子时，称为肖特基缺陷； 间隙原子和空位不断地产生和复合，最后确立一平衡浓度值；; 外来原子进入晶体后，有两种方式存在： 一种方式是杂质原子位于晶格原子间的间隙位置，称这种杂质为间隙式杂质。形成该种杂质时，要求其原子比晶格原子小； 另一种方式是杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处，称这种杂质为替位式杂质。形成该种杂质时，要求其原子的大小与被取代的晶格原子的大小比较接近，而且二者的价电子壳层结构也比较接近。;晶体中的位错可以设想是由滑移所形成的，滑移以后两部分晶体重新吻合。滑移的晶面中，在滑移部分和未滑移部分的交界处形成位错； 当位错线与滑移矢量垂直时，这样的位错称为刃位错； 如果位错线与滑移矢量平行，称为螺位错。;AD为位错线;AD为位错线;1.3.3 面缺陷;1.3.4 体缺陷;1.4 硅中杂质;31;二、本征半导体和本征激发;33;三、杂质半导体;四、施主杂质、施主能级(举例Si中掺P，Si:P);电离结果：导带中的电子数增加了，这也是掺施主的意义所在;施主杂质释放电子的过程称为施主电离。施主杂质未电离时是中性的称为束缚态或中性态；电离后成为正电中心，称为施主离化态。使