晶体管原理(3-1)探究.ppt

第 3 章 双极结型晶体管; 美国贝尔实验室发明的世界上第一支锗点接触式双极型晶体管。随后出现了结型双极型晶体管。; 双极型晶体管有两种基本结构：PNP 型和 NPN 型，其结构示意图和在电路图中的符号如下。; 均匀基区晶体管：基区掺杂为均匀分布。少子在基区主要作扩散运动，又称为 扩散晶体管。 ; 加在各 PN 结上的电压为; 均匀基区晶体管在 4 种工作状态下的少子分布图; 均匀基区 NPN 晶体管在平衡状态下的能带图; 均匀基区 NPN 晶体管在 4 种工作状态下的能带图; 3.1.4 晶体管的放大作用 ; 为了理解晶体管中的电流变化情况，先复习一下 PN 结中的正向电流。; 以 PNP 管为例。忽略势垒区产生复合电流， 处于放大状态的晶体管内部的各电流成分如下图所示，; 从 IE 到 IC ，发生了两部分亏损：InE 与 Inr 。 ; 定义：发射结正偏，集电结零偏时的 IC 与 IE 之比，称为共基极直流短路电流放大系数，记为 ，即：; 定义：发射结正偏，集电结零偏时的 IC 与 IB 之比，称为共发射极直流短路电流放大系数，记为 ，即：; α 与 hFB以及 β 与 hFE 在数值上几乎没有什么区别，但是若采用 α 与 β 的定义，则无论对 α 与 β 本身的推导还是对晶体管直流电流电压方程的推导，都要更方便一些，所以本书只讨论 α 与 β 。; 除了上面两种直流电流放大系数外，还有 直流小信号电流放大系数（也称为 增量电流放大系数）和 高频小信号电流放大系数。直流小信号电流放大系数的定义是