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PAGE 54 PAGE 53 第8章 存储器与可编程逻辑器件 内容提要： 存储器是计算机和数字系统不可缺少的重要设备，可编程逻辑器件是目前数字系统设计的主要逻辑器件。本章首先介绍存储器的基本概念，各种存储器的工作原理以及存储器容量的扩展方法。然后介绍可编程阵列逻辑（PAL）、通用阵列逻辑（GAL）的电路结构和应用。最后简述CPLD、FPGA和在系统编程（ISP）技术的基本思想。 8.1存储器概述 导读: 在这一节中，你将学习： 存储器的分类、相关概念 存储器的主要技术指标 8.1.1 存储器分类 存储器是一种能存储大量二进制信息的半导体存储器，随着微电子技术的发展，半导体存储器以其容量大、存取速度快、可靠性高、外围电路简单、与其它电路配合容易等特点，在计算机和数字系统中得到了广泛的应用。它用来存放程序和大量的数据，是计算机和数字系统中非常重要的组成部分。 按照存储器的性质和特点分类，存储器有不同的分类方法。 根据存储器存取功能的不同分类 存储器可分为只读存储器（Read-Only Memory，简称ROM）和随机存取存储器（Random Access Memory，简称RAM）。 只读存储器在正常工作状态时，只能从中读取数据，而不能写入数据。ROM的优点是电路结构简单，数据一旦固化在存储器内部后，就可以长期保存，而且在断电后数据也不会丢失，故属于数据非易失性存储器。其缺点是只适用于存储那些固定数据或程序的场合。 随机存取存储器与只读存储器的根本区别在于：随机存储器在正常工作状态时可随时向存储器里写入数据或从中读出数据，在存储器断电后信息全部丢失，因此RAM也称为易失性存储器。 根据存储器制造工艺的不同分类 存储器可分为双极型存储器和MOS型存储器。双极型存储器以TTL触发器作为基本存储单元，具有速度快、价格高和功耗大等特点，主要用于高速应用场合，如计算机的高速缓存。MOS型存储器是以MOS触发器或MOS电路为存储单元，具有工艺简单、集成度高、功耗小、价格低等特点，主要用于计算机的大容量内存储器。 根据存储器数据的输入/输出方式不同分类 存???器可分为串行存储器和并行存储器。串行存储器中数据输入或输出采用串行方式，并行存储器中数据输入或输出采用并行方式。显然，并行存储器读写速度快，但数据线和地址线占用芯片的引脚数较多，且存储容量越大，所用引脚数目越多。串行存储器的速度比并行存储器慢一些，但芯片的引脚数目少了许多。 8.1.2 存储器的相关概念 半导体存储器的核心部分是“存储矩阵”，它由若干个“存储单元”构成；每个存储单元又包含若干个“基本存储单元”，每个基本存储单元存放1位二进制数据，称为一个“比特”。通常存储器以“存储单元”为单位进行数据的读写。每个“存储单元”也称为一个“字”，一个“字”中所含的位数称为“字长”。 图8-1为一个64位存储器的结构图，64个正方形表示该存储器的64个“基本存储单元”，每4个“基本存储单元”构成1个“存储单元”，故该存储器有16个“字”，其“字长”为4。这样的存储器称为16×4存储器。 地址Y0Y1位D位C位B位A位D位C位B位AX0X1X2X3X41101X51001X6X7 图8-1 64位存储器结构 8.1.3 存储器的性能指标 存储器的性能指标很多，例如存储容量、存取速度、封装形式、电源电压、功耗等，但就实际应用而言，最重要的性能指标是存储器的存储容量和存取时间。下面就这两项性能指标的具体情况予以说明。 1．存储容量 存储容量是指存储器能够容纳的二进制信息总量，即存储信息的总比特数，也称为存储器的位容量。存储器的容量=字数（m）× 字长（n）。 设存储器芯片的地址线和数据线根数分别是p和q，则该存储器芯片可编址的存储单元总数即字数为，字长为q 。该存储器芯片的容量为×q位。例如：容量为4K×8位的存储器芯片有地址线12根，数据线8根。 2．存取速度 存储器的存取速度可用“存取时间”和“存储周期”这两个时间参数来衡量。“存取时间”（Access Time）是指从微处理器发出有效存储器地址从而启动一次存储器读/写操作，到该操作完成所经历的时间。很显然，存取时间越短，则存取速度越快。目前，高速缓冲存储器的存取时间已小于20ns，中速存储器在60ns到100ns之间，低速存储器在100ns以上。“存储周期”（memory cycle）是连续启动两次独立的存储器操作所需的最小时间间隔。由于存储器在完成读/写操作之后需要一段