第七章半导体探讨.ppt

§ 7-1. 半导体的导电特性;完全纯净、具有晶体结构的半导体;提纯的硅材料可形成单晶——单晶硅;硅原子;本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡，即载流子浓度与温度有关。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好——温度对半导体器件的性能影响很大。 半导体中的价电子还会受到光照而激发形成自由电子并留下空穴。光强愈大，光子就愈多，产生的载流子亦愈多，半导体导电能力增强。故半导体器件对光照很敏感。 杂质原子对导电性能的影响将在下面介绍。;二. N型半导体和P型半导体;2. N型半导体;掺入磷杂质的硅半导体晶体中，自由电子的数目大量增加。自由电子是这种半导体的导电方式，称之为电子半导体或N型半导体。;3. P型半导体;掺硼半导体中，空穴的数目远大于自由电子的数目??空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子，这种半导体称为空穴型半导体或P型半导体。;§ 7-2. PN结;一、PN结的形成;;二、 PN结的单向导电性;2. 加 反向电压;§ 7-3. 半导体二极管;二极管的分类;二、二极管的伏安特性;三、二极管的主要参数;例;§ 7-4. 稳压管;U(V);?稳压管的主要参数：;3、动态电阻rZ 稳压管子端电压和通过其电流的变化量之比。稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压效果越好。;5、电压温度系数 ?U;§ 7-5. 半导体三极管;N型硅;二. 电流分配和放大原理;(4). 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置、集电结必须反向偏置——具有放大作用的外部条件。;1、发射区向基区扩散电子;3、集电区收集扩散电子;在晶体管中，不仅IC比IB大很多；当IB有微小变化时还会引起IC的较大变化。;三. 特性曲线;1. 输入特性曲线;2. 输出特性曲线;通常将晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：; (3) 饱和区;四. 主要参数;说明：;2. 集-基极反向截止电流 ICBO;4. 集电极最大允许电流 ICM