第章C片外擴展.pptVIP

第7章 80C51片外扩展;第7章 80C51片外扩展 ;7.1 ?并行扩展;⑶ 控制总线(CB)：;低位地址线A0～A10实现片内寻址。 高位地址线A11～A13实现片选 （A11～A13中只允许有一根为低电平， 另二根必须为高电平，否则出错）。 无关位A14、A15可任取，一般取“1”。;;7.1.2 并行扩展外ROM ;7.1.3 并行扩展外RAM ;【例7-1】 按图7-6，试编制程序，将外RAM 7020H为首址的16个数据读出 并写入外RAM 7040H为首址的存储单元。;7.1.4 并行扩展I/O口 ;⒈ 74373扩展输入口 ;【例7-2】 按图7-9电路，试编制程序， 从373外部每隔1秒读入一个数据，共16个数据， 存入以30H为首址的内RAM。;⒉ 74377扩展输出口 ;Proteus ISIS虚拟仿真调试： 参阅与本书配套的单片机实验仿真50例（可从网上免费下载）。 ;7.2 串行扩展 ;7.2.2 80C51同步移位寄存器串行扩展 ;;Keil C51软件调试：方法参阅例6-7。Proteus ISIS虚拟电路仿真见例9-11。 ;⒉ 串行输入扩展 ;;Keil C51软件调试：方法参阅例6-8。Proteus ISIS虚拟电路仿真见例9-12。;7.2.3 I2C串行总线 ;⒊ I2C总线基本信号 ;⒌ 虚拟I2C基本信号和数据传送通用软件包 ;;;;;7.2.4 虚拟I2C扩展AT24CXX系列E2PROM ;⒉ 读/写N字节操作格式 ;调用时， 应给形参a[]、n、sadr赋值。 其中，a[]为写入数据数组； n为写入数据字节数； sadr为写入单元首地址。 ;⑵ 读操作格式 ;调用时，应给形参b[ ]、n、sadr赋值。 其中，b[ ]为80C51接收数据数组； n为接收数据字节数； sadr为AT24CXX读出单元首地址。 ;调用时，应分别给 R1（80C51内RAM接收数据区首址）、 R3（读AT24CXX字节数N）和 R4（读AT24CXX片内子地址首址）赋值。 ;【例7-6】 已知电路如图7-24b所示， 定义P1.0为SCL，P1.1为SDA， 8个数据存在首址为30H的内RAM中， 试将其写入AT24C02 50H～57H单元中； 再将其读出，存在80C51内RAM 40H～47H。;;Keil C51软件调试和Proteus ISIS虚拟仿真调试见例9-14。