第章半導体物理和器件物理基础.pptVIP

第二章 半导体物理和器件物理基础;主要内容 半导体材料基本特性 pn结 双极晶体管 金属-氧化物-半导体场效应管; 半导体材料的基本特性 ;电导率： 超导体: 大于106(?cm)-1 (conductivity ) 导 体: 106~104(?cm)-1 半导体: 104~10-10(?cm)-1 绝缘体: 小于10-10(?cm)-1;半导体的结构;半导体的主要特点;常见的半导体材料;电子：Electron，带负电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的自由电子，对应于导带中占据的电子 空穴：Hole，带正电的导电载流子，是价电子脱离原子束缚 后形成的电子空位，对应于价带中的电子空位;自由电子 带负电荷 电子流;N型半导体，在半导体中掺入五价杂质元素，例如磷，砷等。主要依靠电子导电。;P型半导体在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。主要依靠空穴导电。;施主：Donor，掺入半导体的杂质原子向半导体中提供导电???电子，并成为带正电的离子。如Si中掺的P和As。依靠施主提供的电子导电的半导体称为n型半导体。 受主：Acceptor，掺入半导体的杂质原子向半导体中提供导电的空穴，并成为带负电的离子。如Si中掺的B。依靠受主提供的空穴导电的半导体称为p型半导体。 ;半导体的电导率和电阻率;半导体的迁移率（mobility）;迁移率满足方程：;晶格散射 晶格散射是由晶格振动，也就是热运动引起的载流子散射。因此，温度越高，晶格振动越剧烈，更加阻碍了载流子的运动，迁移率下降。 ;电离杂质散射;影响迁移率的因素： 温度 掺杂浓度; 半导体中的载流子 ;量子态和能级;价带：0K条件下被电子填充的能量最高的能带 导带： 0K条件下未被电子填充的能量最低的能带 禁带：导带底与价带顶之间能带 带隙：导带底与价带顶之间的能量差;施主能级;杂质能级;多子：多数载流子(majority carrier) n型半导体：电子 p型半导体：空穴 少子：少数载流子(minority carrier) n型半导体：空穴 p型半导体：电子;在半导体中，由于热运动，总是存在两种运动过程： 电子—空穴对的产生 电子—空穴对的复合（recombination）;热平衡时，本征载流子浓度： n=p=ni np=ni2;电子的平衡统计;非本征半导体的载流子;n型半导体：电子 n ? Nd 空穴 p ? ni2/Nd p型半导体：空穴 p ? Na 电子 n ? ni2/Na;过剩载流子;Pn结 ;pn结是大多数半导体器件都会涉及到的结构。因而半导体器件的特性与工作过程同pn结的特性和原理密切相关。因而pn结对于半导体器件的学习是特殊重要的。在pn结基本结构和原理的学习过程中，我们会遇到一些非常基本和重要的概念，是以后的学习过程中会不断提到的，因而一定要理解这些概念的物理涵义和基本性质。;pn结的基本结构;内电场E;少子飘移;2. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压(反偏) (backward bias) ——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。;3. PN结的伏安特性曲线及表达式;4. PN结的电容效应;(2) 扩散电容CD;PN结的应用 根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同，利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管。如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管，利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管。使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件。如利用正向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池。此外，利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大，振荡等多种电子功能 。PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心，是现代电子技术的基础。在二级管中广泛应用。;双极晶体管 ; 半导体三极管，也叫晶体三极管。由于工作时，多数载流子和少数载流子都参与运行，因此，还被称为双极型晶体管（Bipolar Junction Transistor,简称BJT）。BJT是由两个PN结组成的。;1. 双极晶体管