第二章氧化探讨.ppt

集成电路制造技术第二章 氧化;主要内容;应用在DRAM中的SiO2;SiO2的作用（用途）;2.1 SiO2的结构与性质;2.1 SiO2的结构与性质;2.1.2 主要性质 ①密度：表征致密度，约2.2g/cm3，与制备方法有关。 ②折射率:表征光学性质的参数， 5500?下约为1.46， 与制备方法有关。 ③电阻率：与制备方法及杂质数量有关，如干氧在 1016Ω·cm。 ④介电强度：表征耐压能力，106 —107 V/cm。 ⑤介电常数:表征电容性能， εSiO2=3.9 。 ⑥熔点：无固定熔点， 1700℃。（不同制备方法，其 桥键O数量与非桥键数量比不同）;2.1 SiO2的结构与性质;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.2 SiO2的掩蔽作用;2.3 硅的热氧化生长动力学;2.3.1 硅的热氧化;2）水汽氧化：高温下，硅片与水蒸汽反应 2H2O+Si SiO2+2H2↑ 特点：氧化速度快； 氧化层疏松－质量差； 表面是极性的硅烷醇--易吸水、易浮胶。 ;2.3.1 硅的热氧化;2.3.1 硅的热氧化;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长动力学;2.3.2 热氧化生长速率—氧化层厚度与氧化时间的关系;2.3.2 热氧化生长动力学;;;2.4 影响氧化速率的因素;2.4 影响氧化速率的因素; 2.4.1 决定氧化速率常数的因素;2.4 影响氧化速率的因素;2.4 影响氧化速率的因素;B掺杂浓度对氧化速率的影响;2.4 影响氧化速率的因素;P掺杂浓度对氧化速率的影响;2.4.2 影响氧化速率的其它因素;掺Cl对速率常数B的影响：使B明显增大；掺Cl对速率常数B/A的影响：低浓度时增加明显，高浓度时饱和 机理：4HCl+O2 2H2O+2Cl2;2.5 热氧化的杂质再分布;;2.5 热氧化的杂质再分布;2. B的再分布（m=0.3） CS/CB：水汽干氧 CS/CB随温度升高而升高。 原因：扩散速度随温度升高而提 高，加快了Si表面杂质损 耗的补偿。 改正：图2.23中纵坐标CB/ CS应为 CS/CB;2.6 薄氧化层;2.6.2 薄氧化层的制备 ULSI对薄氧化层的要求： ①低缺陷密度；②抗杂质扩散的势垒特性；③低界面态密度和固定电荷；④热载流子和辐射稳定性。 解决方法： 1.预氧化清洗：RCA工艺（标准清洗工艺） ①H2O-H2O2-NH4OH:去除有机沾污及Ⅰ、Ⅱ族???属沾污 ②HF：漂洗① 中产生的SiO2 ③H2O-H2O2-HCl:去除重金属杂质;2.改进氧化工艺：高温（900℃）快速氧化 界面态、固定电荷、氧化层陷阱随温度升高而减少； 提高了载流子迁移率、抗辐射、抗热载流子效应的能力，改进了可靠性。 3.化学改善氧化工艺：引入Cl、F、N2、NH3、N2O ① N2、NH3、N2O的作用： N2（NH3、N2O）+ SiO2 → Si2N2O ∵Si-N键比Si-H键强度大 ∴可抑制热载流子和电离辐射缺陷； N2O基工艺的优点：工艺简单；无H。 ②F的作用：填补Si-SiO2界面的悬挂键，抑制热载流子和电离辐射产生的缺陷；可使界面应力弛豫。;4. 多层氧化硅： SiO2/SiO2，SiO2/Si3N4，SiO2/HfO2 ， SiO2/Si3N4/SiO2； ①采用CVD法淀积SiO2、Si3N4、HfO2 优点：不受Si衬底缺陷影响；低温； ②缺陷密度明显减少 原因：各层缺陷不重合 ③Si-SiO2界面的应力接近零 原因：各层间的应力补偿 ④增加了薄膜的ε，提高了抗B透入能力。;2.7 Si-SiO2界面特性;四种界面电荷;2.7.1 可动离子电荷Qm 主要来源：大量存在于环境中的Na+ 。 Na+的分布：遍布整个SiO2层。 Na+的特性： ①其DSiO2很大（D0=5.0cm2/s,而P的D0=1.0x10-8cm2/s， B的D0=1.0x10-6 cm2/s ）； ②在电场作用下，有显著的漂移（迁移率与成D正比）。;2.7.1 可动离子电荷Qm Na+对器件性能的影响： ①引起MOS管VT的漂移： VT = -（Qf+Qm+Qot)/C0+φms, C0-SiO2层电容，φms- 金-半接触电位差； ②引起MOS管栅极的局部低击穿：由Na+在Si-Si