ch2位错-2.6 实际晶体中的位错-2.ppt

Ch2 位错;2.6 实际晶体中的位错;一、基本概念;全位错的b为单位点阵矢量或点阵矢量的整数倍，其中b正好等于单位点阵矢量的叫单位位错。这样的位错在移动时，不破坏移动面周围结构的完整性，故又叫完整位错。 b为不等于单位点阵矢量整数倍的位错，称为不全位错（或不完整位错），其中b小于单位点阵矢量的叫部分位错。 不同位错组态，借助分解或组合，在一定条件下可以相互转化。;典型晶体中的全位错;（二）位错反应;能量条件 位错的能态应该最低。而位错的能态，由其取向、类型、几何组态、柏氏矢量b及晶体的各向异性等决定。其中位错的弹性能起主要作用。 位错尽量取b最小的状态。因此，一定晶体结构中的稳定位错，必然取最小点阵矢量为柏氏矢量b；;位错反应举例;9;10;二、堆垛层错;(一)密排晶体中的正常堆垛顺序;13;;;（二）堆垛层错;Line Defects - Stacking Faults;堆垛层错的概念;不全位错的另一定义： 若堆垛层错不是贯穿整个晶体，堆垛层错区与未堆垛层错区（即完整晶体）的边界线就是不全位错。 不全位错本身是线缺陷，但总是和堆垛层错（面缺陷）联系在一起。;Fcc结构中堆垛层错的形成;滑移形成堆垛层错;22;抽去一层{111}形成堆垛层错;24;25;插入一层{111}形成堆垛层错;Hcp结构中的堆垛层错;bcc结构中的堆垛层错;29;（三）层错能;由于堆垛层错破坏了所在晶