集成電路工艺原理.pptVIP

集成电路工艺原理;净化的三个层次：;大纲 ;光刻的作用和目的 图形的产生和布局;35％的成本来自于光刻工艺;空间图像;掩膜版制作;;掩模版制作过程;成品率Y:;三种硅片曝光模式及系统;扫描投影式光刻机原理图;步进投影式光刻机原理图;DSW－direct step on wafer;接触式和接近式——近场衍射（Fresnel） 像平面靠近孔径，二者之间无镜头系统;接触和接近式;投影式——远场衍射（Fraunhofer） 像平面远离孔径，在孔径和像之间设置镜头;瑞利给出恰可分辨两个物点的判据：;两个爱里斑之间的分辨率(瑞利判据):;投影式;?为轴上光线到极限聚焦位置的光程差。根据瑞利判据：;;调制传递函数MTF－－对比度;一般要求MTF0.5 与尺寸有关;MTF与光的部分相干度S;横坐标：归一化的空间频率，线条数/mm;例题：假定某种光刻胶可以MTF＝0.4分辨图形，如果曝光系统的NA＝0.35，?＝436 nm（g-line），S＝0.5。则光刻分辨的最小尺寸为多少？如果采用i线光源呢？ 解：从图中可以知道：S＝0.5 ，MTF＝0.4，对应于?=0.52?0。 ?＝436 nm时，?0＝NA/0.61?＝0.35/(0.61×0.436)＝ 1.32/mm 即分辨率为每mm的0.684对（?=0.52?0 ） ?最小线条的分辨尺寸为0.73 mm或pitch＝1.46 mm 若?＝365 nm（i-line），则分辨尺寸可减小为0.61 mm。 DOFg-line＝3.56 mm， DOFi-line＝2.98 mm（假定k2＝1） ;光刻胶;汞灯436nm (g线)和365nm (i线)光刻胶的组成 （正胶－positive photoresist, DNQ）;负胶 (Negative Optical Photoresist) ;负胶的组成部分： a) 基底：合成环化橡胶树脂 (cyclized synthetic rubber risin) 对光照不敏感，但在有机溶剂如甲苯和二甲苯中溶解很快 b) 光敏材料 PAC： 双芳化基 (bis-arylazide) 当光照后，产生交联的三维分子网络，使光刻胶在显影液中具有不溶性。 c)溶剂：芳香族化合物 (aromatic) ;DUV深紫外光刻胶;DUV胶化学增强的基本原理;本节课主要内容