模拟与数字电子基础习题答案.ppt

主编 李中发 制作 李中发 2005年1月 电子技术 第1章 半导体器件 学习要点 了解半导体的特性和导电方式，理解PN结的单向导电特性 了解半导体二极管、三极管的结构 理解二极管的工作原理、伏安特性和主要参数 理解双极型三极管的放大作用、输入和输出特性曲线及主要参数 了解MOS场效应管的伏安特性、主要参数及其与双极型三极管的性能比较 半导体：导电性能介于导体和绝缘体之间的物质，如硅(Si)、锗(Ge)。硅和锗是4价元素，原子的最外层轨道上有4个价电子。 本征半导体、杂质半导体。 N型半导体的多数载流子、少数载流子； P型半导体的多数载流子、少数载流子。 无论是P型半导体还是N型半导体都是中性的，对外不显电性。 掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 少数载流子是热激发而产生的，其数量的多少决定于温度。 理想二极管： 正向电阻为零，正向导通时为短路特性，正向压降忽略不计； 反向电阻为无穷大，反向截止时为开路特性，反向漏电流忽略不计。 第1章 小 结 本章在介绍半导体基本知识的基础上，重点阐述了半导体二极管、双极型晶体管(BJT)和场效应晶体管(FET) 的结构、工作原理、主要特性曲线和参数等。 绝对零度时，本征半导体中没有载流子。温度高于绝对零度时，将发生本征激发，产生两种载流子，即自由电子和空穴，它们总是成对出现，称为电子空穴对。电子空穴对的浓度随温度的升高而增加，在固定温度下不变。 2. 杂质半导体有N型和P型两种，N型半导体中的多子为自由电子，P型半导体中的多子为空穴。多子由掺杂产生，其浓度由掺杂浓度决定；少数载流子由本征激发产生，其浓度与温度有关，这一点导致晶体管的很多参数与温度有关，产生热不稳定性。 将P型和N型半导体紧密结合在一起，在它们的交界面处，发生两种形式载流子的运动，即多子的扩散运动和少子的漂移运动，它们达到动态平衡时，形成稳定的空间电荷区，即PN结。PN结的最主要特性就是单向导电性。 4. 二极管的伏安特性曲线分为正向和反向两个区域，当正向电压小于开启电压时，流过二极管的电流近似为0；随着，UD稍有增加，电流ID迅速增加。在特性的反向区，反向电流等于反向饱和电流，但当反向电压达到击穿电压值时，二极管发生反向击穿。击穿后，电流在很大范围内变化时，反向击穿电压几乎不变，利用这一特性可以制成硅稳压管。 二极管是非线性元件，在分析含二极管的电路时，常用某种模型代替二极管，主要有开关模型、固定正向电压降模型、折线化模型和低频小信号模型。不同的应用场合应使用不同的模型。 二极管的主要参数有最大整流电流IF、反向击穿电压UBR、最大反向工作电压URM 、反向电流IR 和正向压降UF 等。 7. 双极型半导体晶体管（BJT）有两种载流子参与导电，属电流控制电流源器件（CCCS），BJT有NPN和PNP两种结构类型。其工艺特点为：基区极薄且掺杂浓度低，发射区掺杂浓度高，集电区掺杂浓度低。晶体管的输出特性曲线可以分为饱和、截止、放大三个区域。 双极型晶体管在放大、饱和截止区，有不同的发射结和集电极偏置，为保证晶体管工作在放大状态，应使其发射结正偏，集电结反偏。晶体管的参数主要分为直流参数、交流参数和极限参数三类。 9. 场效应管为电压控制电流源器件(VCCS)。即用栅源电压 来控制沟道宽度，改变漏极电流。场效应管为单极型器 件，仅一种载流子(多子)导电，热稳定性优于BJT。场效 应管有结型和绝缘栅型两种结构，每种又分为N沟道和P 沟道两种。绝缘栅型场效应管（MOSFET）又分为增强 型和耗尽型两种类型。 10. 场效应管的漏极特性曲线可分为可变电阻区、截止区和恒流区，在放大电路中，应使其工作在恒流区。场效应管的参数也分为直流参数(UGS(th)或 UGS(off)、IDSS)交流参数(gm)和极限参数(IDM、PDM)三类。跨导gm反映了场效应管的电压控制作用 第2章 单级交流放大电路 理解共发射极单管放大电路的基本结构和工作原理 掌握放大电路静态工作点的估算和微变等效电路的分析方法 了解放大电路输入电阻和输出电阻的概念 理解射极输出器的电路结构、性能特点及应用 了解场效应管共源极放大电路的结构和性能特点 学习要点 放大电路的结构示意框图见下图。 放大电路概念示意图 例1：测量三极管三个电极对地电位如图所示，试判断三极管的工作状态。 三极管工作状态判断 例2：用数字电压表测得VB =4.5 V 、VE = 3.8 V 、VC =8 V，试判断三极管的工作状态。 例2电路图 放大 （3）放大电路微变等效电路 ①电压放大倍数 式中RL=RC//RL。当RL=∞（开路）时 ②输入电阻 Ri 输入