1常用半导体器件材料.ppt

第1章 常用半导体器件 作 业 1.2 1.3 1.8 1.9(2,6) 1.12(b,c) 1.14 1.15 常用半导体器件 1.1.1 半导体基本知识 *1.1.2 半导体二极管 1.1.3 晶体三极管 1.1.4 场效应管 1.1.5 单结晶体管和晶闸管(自学） 1.1.6 集成电路中的元件（自学） 1.1 半导体基础知识 1.1.0 半导体特性 1.1.1 本征半导体 1.1.2 掺杂半导体 1.1.3 PN结及其单向导电性 1.1.0 半导体特性 常用的半导体材料有： 元素半导体：硅（Si）、锗（Ge） 化合物半导体：砷化镓（GaAs） 掺杂材料：硼(B)、铟(In)；磷(P)、锑(Sb)。 半导体的共价键结构 P型半导体中含有受主杂质，在常温下，受主杂质电离为带正电的空穴和带负电的受主离子。 N型半导体中含有施主杂质，在常温下，施主杂质电离为带负电的电子和带正电的施主离子。 除此之外，P型和N型半导体中还有少数受本征激发产生的电子-空穴对，通常本征激发产生的载流子要比掺杂产生的载流子少得多。 1.2 半导体二极管 已知R =10K，若VDD =10V求电路的ID和UD。 1、将二极管从电路中拿走，在此电路的基础上求两个二极管的阳极和阴极之间的电位差。 2、两个二极管的阳极和阴极之间的电位差共有三种情况： 1）均小于0 2）均大于0 3）一个为正，另一个为负 3、根据不同的情况做出判断： 1）均小于0：立即得出结论，两个二极管均截止。 2）均大于0：这其中会有一大一小，可以得出结论，大的那个二极管一定导通，小的那个状态不定，需要做进一步的判断。大的那个二极管导通后用理想的导线代替，这时整个电路就转化成了只有一个二极管的电路，按照例3的方法继续判断，从而得出最后的结论。 3）一个为正，另一个为负：正的那个二极管一定导通，负的那个状态不定，需要做进一步的判断。正的那个二极管导通后用理想的导线代替，这时整个电路就转化成了只有一个二极管的电路，按照例3的方法继续判断，从而得出最后的结论。  判断电路中二极管的工作状态，求解输出电压。 1.3 晶体三极管 1.3.1 晶体管的结构和类型 1.3.2 电流分配及放大原理 1.3.3 晶体管的共射特性曲线 1.3.4 晶体管的主要参数 1.3.5 温度对晶体管性能参数的影响 *1.3.6 光电三极管 判断三极管工作状态的解题思路： （1）把三极管从电路中拿走，在此电路拓扑结构下求三极管 的发射结电压，若发射结反偏或零偏或小于死区电压值，则三 极管截止。若发射结正偏，则三极管可能处于放大状态或处于 饱和状态，需要进一步判断。进入步骤（2）。 （2）把三极管放入电路中，电路的拓扑结构回到从前。假设 三极管处于临界饱和状态（三极管既可以认为是处于饱和状态 也可以认为是处于放大状态，在放大区和饱和区的交界区域， 此时三极管既有饱和状态时的特征UCES =0.3V，又有放大状态 时的特征IC=?IB），求此时三极管的集电极临界饱和电流 ICS ，进而求出基极临界饱和电流IBS 。集电极临界饱和电流ICS 是三极管的集电极可能流过的最大电流。 （3）在原始电路拓扑结构基础上，求出三极管的基极支路中 实际流动的电流iB。 （4）比较iB和IBS的大小： 若iB IBS（或者 ? iB ICS），则三极管处于饱和状态。 若iB IBS（或者 ? iB ICS），则三极管处于放大状态。 1.4 场效应晶体管 场效应管是通过改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 它不仅具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点，而且还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。因而，在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 根据结构和工作原理不同,场效应管可分为两大类:结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(IGFET). 1.4 场效应晶体管 1.4.1 结型场效应管 1.4.2 绝缘栅场效应管 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.4 场效应管与晶体管的比较 2、N沟道增强型MOS场效应管工作原理 当UGS＞UGS(th)，且固定为某一值时，来分析漏源电压UDS的不同变化对导电沟道和漏极电流ID的影响。 工作在恒流区时g-s、d-s间的电压极性 BJT的三个工作区域 饱和区特点： iC不再随iB的增加而线性增加，即 此时 截止区特点：iB=0， iC= ICEO。当工作点进入饱和区或截止区时，将产生