GaN_SiC异质结的慢正电子研究GaN_SiC异质结的慢正电子研究.pdfVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 P- . #++/ . L;%P-，3L%.，58=C8:N89，#++/ （ ） !+++6*#.+4#++/4P- +. 4P.+,6+P R$BR @QG5A$R 5A3A$R !#++/ $I’(% @IJO% 5LE% !#$%’ 异质结的慢正电子研究! ） ） ） 王海云! 翁惠民# $% $% ’()* !）（南京邮电大学应用物理系，南京 #!+++*） #）（中国科学技术大学近代物理系，合肥 #*++#,） *）（香港大学物理系，香港 中国） （#++- 年 . 月 !# 日收到；#++/ 年 * 月 0 日收到修改稿） 通过对不同生长厚度 12345’$（(6(）的慢正电子研究，发现在 12345’$ 的界面中存在大量各种缺陷并在界面两 端形成两个不同方向的电场 % 这些缺陷的产生和 5’$ 衬底表面制备以及 123 和 5’$ 不同的热膨胀系数有关 % 而缺 陷中大量的带状缺陷在界面中形成一个费米能级钉扎（789:’ ;88; =’((’()），它的存在使界面中存在一定高度的势 垒，导致在界面两端的一定区域内形成两个不同方向的电场 % 用 ?@7AB 模拟该电场的存在，分四层（1234A(C89D2E84 5’$!45’$#）进行拟合，得到了很好的拟合效果，并可以给出电场的确定数值 % 这些电场的存在对正电子的湮没产生 了重要影响，使得在 5’$ 区域，有电场的区域内正电子的有效扩散长度减小 % 界面两端电场大小和界面的带电量以 及界面宽度等信息有关，故对该电场的研究可以为研究真实的界面层及其性质的可能应用提供有效的参考价值 % 关键词：正电子湮没，缺陷，半导体 ()’’：-*0+F，,!-+ 性，所以以 ,Q65’$ 为基底生长 123，由温度变化所 !M 引 言 引起的晶格错位对器件的影响就很小 % 作为生长 123 的衬底，,Q65’$ 和 123 晶格匹配程度要更好 % 123 作为一种直接宽带隙半导体具有优良的化 尽管以 5’$ 为生长的导电衬底有很多的优势，但是 学稳定性、高热导系数、高熔点及较高的电子饱和速 依然存在着很大的不足，在制备的过程中由于种种 度，是制造短波长高亮度发光器件、耐高温器件等的 因素都会在界面中导入大量的缺陷从而严重影响器 理想材料，并且相继制造出了蓝、绿色发光二极管和 件的性能和质量，所以研究这种异质结构的界面结 ［ — ］ 蓝色激光器等光电子器件 ! 0 % 123 基电子器件的 构、性质等情况就变得越来越重要% 应用领域也极为广泛，有望在航空航天，高温辐射环 以往对界面的正电子研究中，往