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集成电路设计基础;第10章 MOS基本电路;引言;传输门不仅是MOS集成电路中的一种基本电路，而且还是一种基元，因为其它基本电路，如反相器，实际上也是由传输门组成的。;10.1.1 NMOS传输门;10.1.1 NMOS传输门(续); NMOS传输门(续);NMOS传输门(续); NMOS传输门(续); NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);10.1.2 PMOS传输门; PMOS传输门(续); PMOS传输门(续); PMOS传输门(续); PMOS传输门(续);PMOS传输门的基本特性是 ?=0? VO= max(Vi, ?Vtp?) ?=1? VO= VO –;结论一: PMOS传输门用作开关传输逻辑信号时 传输“1”逻辑, 将是理想的. 传输“0”逻辑, 不是理想的. 因为电平是蜕化的, 即Vi=0, Vomin=?Vtp?. PMOS放电放不到底！;结论二: PMOS 传输门也是由?控制的. ?=0, MOS导通, 传输信号 ?=1, MOS截止, VO= VO – 所以, PMOS 传输门也是一种记忆元件, 可构成时序逻辑; PMOS传输门(续);PMOS传输门(续);10.1.3 CMOS传输门;CMOS传输门(续);10.2 传输门的联接;10.2.1 串联;10.2.1 串联;10.2.1 串联(续);10.2.1 串联(续);10.2.2 并联;10.2.2 并联(续);10.2.2 并联(续);10.2.2 并联(续);10.2.2 并联(续);10.2.3 串并联;10.3 NMOS反相器;10.3 NMOS反相器;10.4 NMOS反相器负载电阻的选择;10.4.1 纯电阻负载RL;10.4.1 纯电阻负载RL(续);10.4.1 纯电阻负载RL(续);由此可解出VOL，它将是VOH和RL的函数。通常，VOL Vdd，则上式可以简化，得;10.4.1 纯电阻负载RL(续);10.4.1 纯电阻负载RL(续);10.4.1 纯电阻负载RL(续);10.4.1 纯电阻负载RL(续);10.4.1 纯电阻负载RL(续);10.4.2 饱和增强型负载;10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续); 10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.2 饱和增强型负载(续);10.4.3 耗尽型负载;10.4.3 耗尽型负载(续);10.4.3 耗尽型负载(续);10.4.3 耗尽型负载(续);下降沿取决于放电电路。 而放电电路同以前的一样，不必重算。下面简单计算一下，就可以知道耗尽型负载反相器的特性是不错的。 若Vdd =5V，VT = 1V，VTL = ?4V，VoH =5V，VoL = 0.5V，则 可见，驱动管的宽长比只需比负载管大4倍。因而，?L可以大一些，充电时间就可以短。;10.5 CMOS反相器;10.5.1 电路图（续）;10.5.2 转移特性;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.2 转移特性（续）;10.5.3 CMOS反相器的瞬态特性;i) Vi从1到0, CL充电。如图10.28所示。 在此过程中，NMOS和PMOS源、漏极间电压的变化过程为：Vdsn：0?Vdd |Vdsp|：Vdd?0 ，即 1?2?3?原点; 考虑到上拉管导通时先为饱和状态而后为非饱和状态，故输出脉冲上升时间可分为两段来计算，如图10.29所示。;1、饱和状态时 假定VC(0?)=0, 恒流充电时间段有 ， 积分得 ;2、 非饱和状态时 线性充电时间段有， 积分得，