原创力文档- 1、本文档共49页，可阅读全部内容。
- 2、原创力文档（book118）网站文档一经付费（服务费），不意味着购买了该文档的版权，仅供个人/单位学习、研究之用，不得用于商业用途，未经授权，严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等，侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传，本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺！文档内容仅供研究参考，付费前请自行鉴别。如您付费，意味着您自己接受本站规则且自行承担风险，本站不退款、不进行额外附加服务；查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档，您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等，请点击“版权申诉”（推荐），也可以打举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 6、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
《模拟电子技术基础》[第4版]第1章
教材: 《模拟电子技术基础》;绪 论一、课程的地位和主要内;绪论模拟信号：在时间和数值上连;计算机检测控制系统原理框图微机;三、如何学好模电绪论课程特点：;四、模电成绩如何算作业：１０％;内容提要半导体器件是组成各种电;1.2 半导体二极管 1.3;1.1.1 半导体的特性一、;4+简化模型（Ｓi，Ge）硅原;二、半导体特性温度??导电能力;纯净的、没有结构缺陷的半导体单;+4+4+4+4+4+4+4+;+4+4+4+4+4+4+4+;本征激发 —— 价电子受热及;注意本征半导体中载流子的浓度除;+4+4+4+4+4+4+4+;N型半导体结构示意图少数载流子;+4+4+4+4+4+4+4二;少数载流子负离子多数载流子P型;对于杂质半导体，多子浓度约等于;注意不论是N型半导体还是P型半;载流子的两种运动：扩散——载流;P 区N 区1.2.1 ;多子扩散－＞形成空间电荷区－＞;内电场方向E外电场方向RI1.;P 区N 区内电场方向ER空间;结论综上所述，当PN结正向偏置;PN结的伏安特性正偏：P——“;半导体基础知识半导体中的载流子;1.3.1 二极管的结构和;600400200– 0.1–;开启电压： UonSi 管：0;二极管的伏安特性受温度的影响。;1.3.4 二极管的等效电;一、二极管的直流模型1.理想二;2.二极管导通时正向压降为一常;3.二极管导通且正向压降uD大;二极管主要用于限幅，整流，钳位;URR VUI 用直流模型2;图1.2.6 例1.2;【例1】 下图中，已知VA=3;解： DA优先导通，则VY=3;【例2】下图是二极管限幅电路，;URR VUI iD;二、二极管的小信号交流模型（微;即动态电阻与Q点有关;图1.2.8 直流电压和交流信;作业:1.4(1.3), 1.
文档评论（0）