先进光刻胶材料的研究进展先进光刻胶材料的研究进展.pdf

第 卷 第 期 影像科学与光化学 　 ２９ 　 ６ Ｖｏｌ．２９　Ｎｏ．６　 年 月 　２０１１ １１ Ｉｍａｇｉｎｇ　Ｓｃｉｅｎｃｅ　ａｎｄ　Ｐｈｏｔｏｃｈｅｍｉｓｔｒｙ　 Ｎｏｖ．，２０１１　 檭 檭檭檭檭檭殐 殐 檭 檭 综 述 殐 　　 檭檭檭檭檭 殐 檭 先进光刻胶材料的研究进展 许 箭，陈 力，田凯军，胡 睿，李沙瑜，王双青，杨国强 （北京分子科学国家实验室，中国科学院 化学研究所 光化学重点实验室，北京 １００１９０） 摘 要 本文简述了光刻技术及光刻胶的发展过程 并对应用于 纳米光刻 　 ： ， １９３ 和下一代 ＥＵＶ 光刻的光刻胶材料的研究进展进行了综述，特别对文献中 ＥＵＶ 光刻胶材料的研发进行了较为详细的介绍，以期对我国先进光刻胶的研发工作 有所帮助． 关 键 词：光刻胶；１９３ｎｍ 光刻；ＥＵＶ 光刻；化学放大光刻胶；分子玻璃 文章编号 中图分类号 文献标识码 ：１６７４－０４７５（２０１１）０６－０４１７－１３　　 ：Ｏ６４；ＴＮ３０５　　 ：Ａ 光刻胶是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、Ｘ 射线等光照或辐射，其溶解度 发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体 分立器件的细微图形加工［１］． 光刻技术概况 １　 光刻技术是利用光照，在有光刻胶存在下，将掩膜上的图形转移到衬底上的过程，其 基本原理如图１所示［２］．首先在衬底表面形成一层光刻胶薄膜（Ａ 过程）；然后紫外光通 过掩膜板照射到光刻胶薄膜上，曝光区域发生一系列的化学反应（Ｂ过程）；再通过显影的 作用将曝光区域或未曝光区域溶解而去除（Ｃ 过程），最后再通过刻蚀等过程将图形转移 到衬底上． 光刻胶根据在显影过程中曝光区域的去除或保留，分为正像光刻胶和负像光刻胶． 其中正像光刻胶，曝光区域的光刻胶发生光化学反应，在显影液中软化而溶解，而未曝光 区域仍然保留在衬底上，将与掩膜版上相同的图形复制到衬底上．相反，负像光刻胶曝光 区域的光刻胶因交联固化而不溶于显影液，将与掩膜版上相反的图形复制到衬底上． 现代半导体工业要求集成电路的尺寸越来越小，集 成 度 越 来 越 高，并 能 按 照 摩 尔 收稿日期 修回日期 ：２０１１－０８－２０； ：２０１１－０９－２２． 基金项目：国家科技重大专项（０２专项：２０１１ＺＸ０２７０１） 作者简介 杨国强 男 研究 员 博 士 生 导 师 主 要 从 事 有 机 光 功 能 材 料 研 发 及 机 理 研 究 通 讯 联 系 人 ： （１９６３－）， ， ， ， ， ， Ｅ－ｍａｉｌ：ｇｑｙａｎｇ＠ｉｃｃａｓ．ａｃ．ｃｎ． ４１７ 影 像 科 学 与 光 化 学