常用半导体器件及应用讲义.ppt

电工电子技术? ——电子技术与实训;第一章 常用半导体器件;一 半导体的基础知识 ;1　半导体的特性; 本征半导体的共价键结构; 这一现象称为本征激发，也称热激发。;自由电子，带负电荷，电子流;在中掺入某些微量杂质元素后的半导体称为杂质半导体。;在纯净半导体硅或锗（4价）中掺入磷、砷等5价元素，由于这类元素的原子最外层有5个价电子，故在构成的共价键结构中，由于存在一个多余的价电子而产生大量自由电子，这种半导体主要靠自由电子导电，称为电子半导体或N型半导体（其中自由电子为多数载流子，热激发形成的空穴为少数载流子）。;（2） P型半导体;掺入的杂质元素的浓度越高，多数载流子的数量越多。 只有将两种杂质半导体做成PN结后才能成为半导体器件。;半导体中载流子有扩散运动和漂移运动两种运动方式。 载流子在电场作用下的定向运动称为漂移运动。 在半导体中，如果载流子浓度分布不均匀，因为浓度差，载流子将会从浓度高的区域向浓度低的区域运动，这种运动称为扩散运动。 将一块半导体的一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，在两种半导体的交界面处将形成一个特殊的薄层→ PN结。;多子扩散;①外加正向电压（也叫正向偏置）——电源正极接P区，负极接N区 ;外电场;PN结加正向电压时，具有较大的正向扩散电流，呈现低电阻， PN结导通； PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。;二 晶体二极管 ;二 晶体二极管 ;(2) 面接触型二极管;(3) 平面型二极管;二 晶体二极管 ;二 晶体二极管 ;;; 例：二极管构成的限幅电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1) 若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、理想二极管串联电压源模型计算电流I和输出电压uo;二 晶体二极管 ;二 晶体二极管 ;二 晶体二极管 ;当稳压二极管工作在反向击穿状态下,工作电流IZ在Izmax和Izmin之间变化时,其两端电压近似为常数;当发光二极管的PN结加上正向电压时，电子与空穴复合过程以光的形式放出能量，发光二极管是一种新型冷光源。 发光二极管（简称LED）是一种光发射器件，它是由砷化??、磷化镓等材料制成。当这种管子通以电流时将发出光来。光的颜色主要取决于制造所用的材料。 发光二极管具有亮度高、清晰度高、电压低（1.5～3V）、反应快、体积小、可靠性高、寿命长等特点，是一种很有用的半导体器件，常用于信号指示、数字、照明、彩灯、字符显示等。;二 晶体二极管 ;二 晶体二极管 ;;1 三极管的结构原理;基区：最薄， 掺杂浓度最低;按材料分： 硅管、锗管;2 三极管的电流分配关系与放大作用;2 三极管的电流分配关系与放大作用;2 三极管的电流分配关系与放大作用;3 三极管在电路中的基本连接方式;4 三极管的伏安特性（共发射极接法）;4 三极管的伏安特性（共发射极接法）;5 三极管的模型;6 三极管电路的分析算法（直流）;6 三极管电路的分析算法（直流）;6 三极管电路的分析算法（直流）;7 半导体三极管的型号;四 场效应管; 绝缘栅型场效应管 (FET)，简称MOSFET。分为： 增强型 ? N沟道、P沟道 耗尽型 ? N沟道、P沟道;绝缘栅场效应管简介; ②漏源电压uDS对漏极电流id的控制作用;晶闸管 （Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、调压及开关等方面。;;;晶闸管导通的条件：;晶闸管型号及其含义 ;晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。;1.快速熔断器保护;2.过流继电器保护;阻容保护;1 半导体;测试注意事项：用数字式万用表去测二极管时，红表笔接二极管的正 极，黑表笔接二极管的负极，此时测得的阻值才是二极 管的正向导通阻值，这与指针式万用表的表笔接法刚好