NPS-HMI模件母板信号噪声容限分析.doc

NPS-HMI模件母板信号噪声容限分析 概述 保护装置母板传输的数字信号在工作时会受到各种干扰和噪声的影响。只有使这些并非所需要的干扰和噪声信号小于数字系统所能承受的容限，才能保证系统的正常工作。当干扰大于数字系统所能承受的容限时，则危害系统的正常工作。与模拟电路的干扰只影响其量值和线性不同，数字系统受干扰后会产生误动作，在运行时会产生严重的后果。随着现代数字电路工作频率越来越高，工作电压越来越低，使得数字电路动作能量小、翻转速度快、信号电平低，所以外部干扰容易影响其正常工作，这就需要更加重视对系统数字电路干扰与噪声产生的原因及其危害性的分析与研究，提出更完善的防治干扰与噪声的措施，保证系统达到应有的性能和可靠的工作。 通常，用3种噪声容限来描述数字电路抗噪声即抗干扰的能力。 直流噪声容限这是一个静态参数，可以根据器件说明书所给出的4个极限参数，即高电平输入电压，低电平输入电压，高电平输出电压，低电平输出电压来求得输入为低电平和输入为高电平的直流噪声容限。公式如下：数字电路的直流噪声容限与环境温度、电源电压有着很密切的关系。 交流噪声容限又称为动态噪声容限。它与数字电路的反应速度有关，工作速度高的集成电路，其交流噪声容限小，与直流噪声容限值相接近。如电路本身反应速度慢，那么对于窄脉冲的快速干扰电压就来不及反应，因而其容限值增大。所以交流噪声容限通常比直流噪声容限大。按理交流噪声容限更能科学地反映电路在实际工作条件下的抗干扰能力，但交流噪声容限测量困难，且与施加的干扰波形有关。所以往往采用直流噪声容限值来衡量总体抗干扰能力，以求安全性更好。板间传输的信号，采用低速电路，会有更好的抗干扰性能。 能量噪声容限ENI(Energy Noise Immunity)即是在电路保持正常工作状态下，电路所能承受的噪声能量，其量纲为纳焦耳nJ。单用直流噪声容限不能全面地反映电路的抗干扰性能。能量噪声容限这一概念指出：电路受噪声干扰而发生误动作，不仅需要有超过电路阈值的噪声电压幅值，而且还要具有使电路能产生干扰效应（如误触发、翻转等）的能量。它与器件的阈值电压、传输延迟时间及驱动侧器件的输出阻抗有关。能量噪声容限定义为：其中,是电路的阈值电压，是电路的传输延迟时间，是电路的输出阻抗。 母板信号直流噪声容限计算 单端信号直流噪声容限 单端信号有：单色液晶数据及控制线、运行灯驱动、告警、呼唤。 单色液晶驱动芯片采用RA8806，  面板上接收端器件为：SN74HCT245。   所以，单色液晶信号的直流噪声容限为：  运行灯由FPGA驱动，  面板上接收端器件为：SN74LVC16244。   所以，运行灯信号的直流噪声容限为：  告警、呼唤信号采用MOSFET输出，DIO核心板上接收端电路如下： /HH_IN_M直接连到CPU。上述电路在MOSFET导通时，能迅速拉到低电平，且由于电流小，在MOSFET和肖特基二极管上的压降很小，有利于提高噪声容限。但在关断时，由于逻辑器件输入脚的电容在5pF左右，上拉电阻为10k，RC时间常数为50nS，上升沿太缓，会使输出产生振荡。解决办法是：减小上拉电阻到1~2k左右；或输入接收端逻辑器件采用施密特触发器。 同样在跳闸自检返回电路中也存在下降沿过缓的问题，如下图所示：  上图中DO板DO_FB肖特基二极管（D50）正端5V时由于电流极小（下拉电阻很大），肖特基二极管处于非正常工作状态，看伏安特性曲线可知，压降极小。在由高电平变为低电平时下降沿极缓。 结果分析： 母板单端信号直流噪声容限较低，可采取的改进办法有：1）面板接收端输入缓冲采用施密特触发器输入；2）提高电源电压，母板传输单端信号改成5V电平。 差分信号直流噪声容限 差分信号有：M-LVDS、CAN、RS485、USB、100M以太网电口、TFT液晶LVDS。 M-LVDS M-LVDS信号（如sn65mlvd082），驱动器的共模输出范围为0.8V ~ 1.2V，典型值为1V，最大输出差动电压650 mV。M-LVDS接收器接受的输入范围（共模电压，即两个输入脚分别与GND之间的压差）为-1V ~ +3.4V。 M-LVDS高电平的最大值为1.2+0.65/2=1.525V，∴高电平的噪声容限为3.4-1.525=1.875V。 M-LVDS低电平的最小值为0.8-0.65/2=0.475V，∴低电平的噪声容限为0.475-（-1）=1.475V。 结果分析： M-LVDS差分信号噪声容限较高，适用于母板传输。 问题：在母板连接情况下，子节点仅用作接收时，是否可用低成本的LVDS器件（如sn65lvds2）替代？ LVDS 接收器接受的输入范围为 0V ~ 2.4V。 M-LVDS发送，L