3.3只读存储器ROM.ppt

3.3 只读存储器ROM ;图 3.13 ROM结构框图 ;图 3.14 16×1 位ROM阵列 ; 1. 掩模编程的ROM(Mask Programmed ROM) 掩模编程的ROM简称ROM，它是用最后一道掩模工艺来控制某特定基本存储电路的晶体管能否工作(即单向选择开关是否接通)，以便达到预先写入信息的目的。 因而制造完毕后用户不能更改所存信息。这种ROM也常称为掩模式ROM，它既可用双极工艺实现，也可用MOS工艺实现。掩模ROM中，由于只有读出所需的电路， 所以结构简单、 集成度高(约为RAM的 10 倍)、 容易接口，大批量生产时也很便宜(约为RAM价格的百分之一)。 掩模ROM主要用作微型机的标准程序存储器，如BASIC语言的解释程序、 汇编语言的汇编程序、FORTRAN语言的编译程序等。 也可用来存储数学用表(如正弦表、余弦表、开方表等)、代码转换(如BCD码转换成七段显示码等)表、逻辑函数表、固定常数以及阴极射线管或打印机用的字??产生图形等。 ; 2. 可改写的PROM(Erasable Programable ROM) 反复编程ROM简称EPROM，是指用户既可以采取某种方法自行写入信息， 也可以采取某种方法将信息全部擦去，而且擦去后还可以重写。 根据擦去信息的方法不同EPROM又可分为两种，即紫外线擦洗的EPROM(Ultraviolet EPROM), 简称UVEPROM；电擦洗的EPROM(Electrically EPROM), 简称E2PROM(或称电改写的ROM， 即Electrically Alterable ROM, 简称EAROM)。 ; UVEPROM常作微型机的标准程序存储器或专用程序存储器，擦洗时需要将器件从系统上拆卸下来，并在紫外光下照射才能擦掉信息，使用不太方便。E2PROM是一种可用电信号进行清除的PROM，清除时不必将器件从系统上拆卸下来， 一次可以擦一个字，也可以立刻全擦去， 而后又可以用电信号对新的数据重新进行写入。E2PROM用电信号擦去信息的时间为若干毫秒，比UVEPROM的擦去时间要快得多。但是，尽管如此， 要想用E2PROM 直接作为非挥发性RAM还嫌慢得多。此外，E2PROM写入数据的次数总是有限的，典型值为 104～106，因而将E2PROM直接作为非挥发性存储器使用也感不便。 ;3.3.2 EPROM基本存储电路 ;图 3.16 浮栅积存电荷与阈值关系 ;3.3.3 只读存储器典型产品举例 1. Intel 2716 UVEPROM存储器 Intel 2716 是N沟FAMOS器件，有 24 个管脚，存储容量为 16 K位，即 2 K个字，每字 8 位。电源电压为单一+5 V，编程电压VPP在编程时为 25 V，其余时间保持+5V。16 K位基本存储电路排列成 128×128 的阵列。 它们被分成 8 个 16×128 的矩阵。每个 16×128 的矩阵都代表 2048 个字中的某一位， 2716 中一位的结构框图示于图 3.17。其中高位地址信号A4～A10用来确定128 行中的一行，低位地址信号A0～A3用来控制 16 根位线。 ;图 3.17 2716 一位的结构框图;图 3.18 2716 的引脚排列 ;表 3.1 Intel 2716 的工作方式选择 ;表 3.2 微型机中常用的UVEPROM ;2. Intel 2816 E2PROM存储器 ;表 3.3 2816 工作方式选择条件 ;3.3.4 闪速存储器 ; 1. 作为可更新的代码存储器 例如，以分块结构为特征的Intel 28F001BX(1 Mb)、 28F200BX(2 Mb)、 28F400BX(4 Mb)启动块闪速器件产品已在嵌入式微机的代码存储器中得到广泛应用。 启动块式闪速存储器产品一般分为“启动块”、 “参数块”和“主块”。 其中“启动块”可存储启动系统所需的启动代码；“参数块”则用来存储产品代码、系统设置参数以及需经常更新的代码，如诊断程序等； “主块”用来存放主要操作代码。 ; 2. 作为固态大容量存储器 例如，Intel 28F008SA为 8 Mb(兆位)的闪速文件存储器器件，采用先进的 40 引线薄膜微型封装或 44 引线塑料微型封装， 多用在手持机或笔记本电脑中，用来存放操作系统或用户程序， 也可用来存放文件和可移植程序。存储在闪速文件存储器中的程序插入系统后可直接执行，非常方便。 ; 3. 用作固态盘 DRAM作为可直接执行的存