第1章、半导体器件讲义.ppt

模拟电子技术基础;课程的难点： 建立“工程的概念”、电子电路分析的合理近似 课程要求： ;第一章 半导体器件;; 半导体的导电机理不同于其它物质，所以它具有不同于其它物质的特点。比如：;;通过一定的工艺过程，可以将半导体制成晶体。;硅和锗的晶体结构;硅和锗的共价键结构;共价键中的两个电子被紧紧束缚在共价键中，称为束缚电子，常温下束缚电子很难脱离共价键成为自由电子，因此本征半导体中的自由电子很少，所以本征半导体的导电能力很弱。;本征半导体的导电机理;+4;本征半导体的导电机理;本征半导体的导电机理;半导体在热激发下产生自由电子和空穴对的现象称为本征激发。自由电子在运动中与空穴相遇就会填补空穴，使二者同时消失，这种现象称为复合。;一定温度下，本征激发产生的自由电子和空穴对，与复合的自由电子和空穴对数目相等，达到动态平衡。 理论分析表明：;注意： 本征半导体的 导电性很差，且与环境密切相关。本征半导体的这种对温度的 敏感性，既可用来制作热敏和光敏器件，又是造成半导体器件温度稳定性差的原因。;1.1.2 杂质半导体;+4;N型半导体;+4;P型半导体;总 结;杂质半导体的示意表示法;§1.1.3 PN结及其单向导电性;P型半导体;扩散的结果是使空间电荷区逐渐加宽，内电场E加强。;漂移运动;－;空间电荷区内正负电荷相等，因此，当P区和N区杂质浓度相等时，正离子区和负离子区宽度相等，称为对称结；当P区和N区杂质浓度不同时，浓度高一侧的 离子区宽度低于浓度低的一侧，称为不对称PN结。;1、空间电荷区中没有载流子。;二、 PN结的单向导电性;PN结正向偏置;PN结加正向电压时的导电情况;PN结反向偏置;PN结加反向电压时的导电情况; PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流； PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的反向漂移电流。 由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。; (3) PN结V- I 特性表达式;1.2 二极管; 1.2.1 二极管的结构;(3) 平面型二极管;半导体二极管图片;43;44; 1.2.2 二极管的伏安特性;二极管的伏安特性表达式 可用PN结伏安特性表达式表示：; 二、温度对二极管伏安特性的影响; 1.2.3 二极管的参数;（1）最大整流电流 IF;（3）反向电流 IR;1.2.4 稳压二极管;(1) 稳定电压UZ;3. 稳压电路;例：已知图中电路稳压管的稳定电压UZ＝6V。计算UI为12V、30V三种情况下输出电压UO的值 。 ;§1.3 双极型晶体管（BJT); 结构特点：;1.3.1 结构和类型;b;b;1.3.2 晶体管的电流控制作用;一 晶体管内部载流子的运动;b;IB;4;若有输入交流电压信号△UI作用，则晶体管的基极电流在IB基础上叠加动态电流△ iB，集电极电流在IC基础上叠加动态电流△ iC， △ iC与△ iB之比为交流放大系数β。;若以发射极电流作为输入电流，以集电极电流作为输出电流，则定义ICN与IE之比为共基直流电流放大系数。;b;例： 分别判断图中所示各电路中晶体管是否有可能工作在放大状态。 ;例：已知两只晶体管的电流放大系数β分别为50和100，现测得放大电路中这两只管子两个电极的电流如图所示。分别求另一电极的电流，标出其实际方向，并在圆圈中画出管子。 ;1.3.3 晶体管的共射特性曲线;（1）输入特性;（1）输入特性;（1）输入特性;（1）输入特性;（2）输出特性;iC(mA );iC(mA );例： 电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为1.5V 、3V情况下晶体管的工作状态及输出电压uO的值。 ;例： 电路如图所示，晶体管导通时UBE＝0.7V，β=50。试分析uI为1.5V、3V情况下晶体管的工作状态及输出电压uO的值。 ;1.3.4晶体管的主要参数;工作于动态的三极管，真正的信号是叠加在直流上的交流信号。基极电流的变化量为?iB，相应的集电极电流变化为?iC，则交流电流放大倍数为：;2.集-基极反向饱和电流ICBO;3.集-射极穿透电流ICEO;ICEO＝（1＋β）ICBO;4.集电极最大电流ICM;5.集-射极反向击穿电压;6.集电极最大允许功耗PCM;IC;1.4 绝缘栅型场效应晶体管:;P;N沟道耗尽型;N;P沟道耗尽型;MOS管的工作原理;P;P;P;P;P;1.4.2绝缘栅型场效应晶体管的特性曲线 以增强型N沟道MOS管为例;输出特性曲线;以耗尽型N沟道MOS管为例的特性曲线;输出特性曲线;1.4.3 绝缘栅型场效应晶体管的主要参数