实验十四光电传感器原理及应用没有.docx

实验十四 光电传感器原理及应用 【实验目的】 1.了解光敏电阻的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线； 2.了解硅光电池的基本特性，测出它的伏安特性曲线和光照特性曲线； 3.了解硅光敏二极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线； 4.了解硅光敏三极管的基本特性，测出它的伏安特性和光照特性曲线。 【实验仪器】 型物理实际性（光敏传感器）实验装置，其结构如图所示。该实验仪由光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池、光纤、光耦六种光敏传感器及可调光源、电阻箱、九孔实验板与光学暗筒、数字万用表等组成。 图1a光敏传感器实验装置 1. 光学暗筒： 工作时照明光路是置与暗筒中进行，消除杂散光对实验的影响。光学暗筒的结构：一头装有光敏元件的安装盖，用统一大小的元件接插件固定在插口上，用线引入电路，另一端是装有白炽灯（）的金属杆，并标有刻度，可以调节并读取光源与光敏元件的距离，改变它们之间的相对照度。 2. 电源： 本实验装置配有一台型光电传感器实验电源，主要提供两路工作电压，一路供白炽灯使用，电压连续可调，另一路提供传感器电路工作电压，有共计6组电压值变化，以保证实验的不同需要。 3. 其他实验配件： 光敏传感器处的照度通过调节可调光源的电压和光源与探测器之间的距离来调节。在一的定的电源电压和光源距离下，本实验仪给出了相对应的光源照度，以供参考（见讲义最后）附表中。 【实验原理】 凡是能将光信号转换为电信号的传感器称为光敏传感器，也称为光电式传感器，它可用于检测直接由光强度变化引起的非电量，如光强、光照度等；也可用来检测能转换成光量变化的其它非电量，如零件直径、表面粗糙度、位移、速度、加速度及物体形状、工作状态识别等。光敏传感器具有非接触、响应快、性能可靠等特点，因而在工业自动控制及智能机器人中得到广泛应用。 1.光电效应： 光敏传感器的物理基础是光电效应，在光辐射作用下电子逸出材料的表面，产生光电子发射称为外光电效应，或光电子发射效应，基于这种效应的光电器件有光电管、光电倍增管等。电子并不逸???材料表面的则是内光电效应。光电导效应、光生伏特效应则属于内光电效应。即半导体材料的许多电学特性都因受到光的照射而发生变化。光电效应通常分为外光电效应和内光电效应两大类，几乎大多数光电控制应用的传感器都是此类，通常有光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、硅光电池等。 （1）光电导效应： 若光照射到某些半导体材料上时，透射到材料内部的光子能量足够大，某些电子吸收光子的能量，从原来的束缚态转变成导电的自由态，这时在外电场的作用下，流过半导体的电流会增大，即半导体的电导会增大，这种现象叫光电导效应。它是一种内光电效应。 光电导效应可分为本征型和杂质型两类。前者是指能量足够大的光子使电子离开价带跃入导带，价带中由于电子离开而产生空穴，在外电场作用下，电子和空穴参与电导，使电导增加。杂质型光电导效应则是能量足够大的光子使施主能级中的电子或受主能级中的空穴跃迁到导带或价带，从而使电导增加。杂质型光电导的长波限比本征型光电导的要长的多。 （2）光生伏特效应： 在无光照时，半导体结内部自建电场。当光照射在结及其附近时，在能量足够大的光子作用下，在结区及其附近就产生少数载流子（电子、空穴对）。载流子在结区外时，靠扩散进入结区；在结区中时，则因电场的作用，电子漂移到区，空穴漂移到区。结果使区带负电荷，区带正电荷，产生附加电动势，此电动势称为光生电动势，此现象称为光生伏特效应。 2.光敏传感器的基本特性： 光敏传感器的基本特性包括：伏安特性、光照特性等。 伏安特性： 光敏传感器在一定的入射光照度下，光敏元件的电流与所加电压之间的关系称为光敏器件的伏安特性。改变照度则可以得到一簇伏安特性曲线。它是传感器应用设计时的重要依据。 光照特性： 光敏传感器的光谱灵敏度与入射光强之间的关系称为光照特性，有时光敏传感器的输出电压或电流与入射光强之间的关系也称为光照特性，光照特性是光敏传感器应用设计时选择参数的重要依据之一。 掌握光敏传感器基本特性的测量方法，为合理应用光敏传感器打好基础。本实验主要是研究光敏电阻、硅光电池、光敏二极管、光敏三极管四种光敏传感器的基本特性。 （1）光敏电阻： 利用具有光电导效应的半导体材料制成的光敏传感器称为光敏电阻。目前光敏电阻应用的极为广泛，其工作过程为，当光敏电阻受到光照时，发生内光电效应，光敏电阻电导率的改变量为： （1） 在（1）式中，为电荷电量，为空穴浓度的改变量，为电子浓度的改变量，表示迁移率。当两端加上电压后，光电流为： （2） 式中为与电流垂直的表面积，为电极间的间距。在一定的光照度下，为恒定的值，因而光电流和电压成线