纳米氧化钨薄膜的制备及光致变色特性的研究进展_李二元.pdf

第 38 卷 增刊 1 稀有金属材料与工程 Vol.38, Suppl.1 2009 年 4月 RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERING April 2009 纳米氧化钨薄膜的制备及光致变色特性的研究进展 李二元，王秀峰，伍媛婷，李颖华 (陕西科技大学，陕西 西安 710021) 摘 要：过渡金属氧化物 WO3 因具有优异的光致变色特性而倍受重视。本文介绍了氧化钨薄膜的电致变色机理，综述 了氧化钨薄膜的制备方法，总结了纳米氧化钨薄膜光致变色特性的一些实际应用，并对今后的发展方向提出了一些看 法。 关键词：氧化钨；光致变色；纳米薄膜；应用 中图法分类号：TB43 文献标识码： A 文章编号：1002-185X(2009)S1-329-05 在外界激发源的作用下，一种物质或一个体系发生 色机理的还有小极化子吸收模型[4,5]和色心模型[6,7] 颜色明显变化的现象称为变色性。光致变色是指一种化 等。 合物 A 受到一定波长的光照射时，可发生光化学反应 2 纳米氧化钨薄膜的制备方法 得到产物 B，A 和 B 的颜色明显不同。B 在另外一束光 的照射下或经加热又可恢复到原来的形式 A。光致变色 纳米 WO3 薄膜的制备方法很多，薄膜的性质与制 (Photochromism)是在光的作用下发生的一种可逆的化 备方法及工艺条件密切相关，用不同制备方法制备的氧 学反应。作为过渡金属氧化物，氧化钨薄膜是一种优异 化钨薄膜在尺寸和晶型等方面有所不同。常见的制备方 的光致变色材料，研究发现氧化钨在紫外光照射下会变 法有溅射法、溶胶-凝胶法、电沉积法、物理气相沉积 成蓝色[1]。由于氧化钨的光致变色特性在光信息存储、 法(PVD)和化学气相沉积法(CVD)等。 光调控、光开关、光学器件材料、光信息基因材料等领 2.1 溅射法 域中具有广阔的应用前景而倍受关注[2]。 溅射法的原理是采用高能量惰性气体粒子轰击靶 材，被轰击下来的原子沉积到基底上形成薄膜。 1 纳米氧化钨薄膜光致变色的机理 Yang-Ming Lu[8]等采用直径为 7.6 mm、纯度为 氧化钨的光致变色效应伴随着可逆的氧化-还原 99.9%的金属钨作为靶材，真空度约为 0.7 Pa，靶 材 与 反应，目前普遍认可的变色机理可用 1975 年由 ITO 导电玻璃基片的距离为 16 cm，在氧气-氩气的混 Faughnan[3]提出的双电荷注入/抽出模型解释，即在紫 合气氛下，以 100 W 的功率磁控溅射在基片上沉积制 外光照射下，价带中的电子被激发到导带中，并产生