微电子学专业实验.介绍2011.pptVIP

微电子学专业实验介绍 ;《微电子学专业实验》是按照我院新办专业“微电子学专业”的培养方案及教学计划要求，设置的一门重要专业实验课程。该课程是微电子学专业本科学生必修的一门专业实验课，是理论性和实践性都非常强的一门课程。微电子学实验涉及了集成电路设计、半导体物理、半导体器件、工艺及材料等多个专业方面。 ;实验要求和目的：; ;实验教学内容;半导体材料特性与微电子技术工艺参数测分析： 四探针法测量半导体电阻率 半导体霍尔效应实验 光电导衰退法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命 用椭圆偏振仪测量薄膜厚度 P-N结的显示与结深的测量 MOS结构高频C-V特性测试（演示） ;实验内容（2） ;集成电路性能参数测试与应用及现代集成电路EDA 技术实验： 双极性运算放大器参数的测试 版图电路分析 几种数字门电路的计算机模拟与仿真 运算放大器应用电路模拟与仿真 数字电路版图设计 模拟集成电路设计与仿真 稳压电源及应用电路的计算机模拟与仿真 ;实验安排;实验报告撰写要求 ;实验一 四探针法测电阻率 ; ;实验内容 1、用长条法测试矩形样品(n-si)的ρ和RH值。测电阻率时（磁场强度B=0）样品电流分别取代0.4mA、0.8mA两个值，测霍尔电压时，磁场强度B=2000GS。 2、用范德堡法测Si薄片半导体样品的ρ和RH值。测试条件同上。 3、用EXCEL进行数据处理。 ;实验三 用图示仪测量双极型晶体管直流参数;实验内容 1、整流二极管、发光二极管、稳压管的正、反向特性测试； 2、晶体三极管的测试（分别对NPN、PNP三极管进行测试），包括： a）三极管的输出特性； b）饱和压降UCES的测量； c）反向击穿电压： Bicep、Bvcbo、Bvebo；和反向漏电流的测试； d）三极管输入特性的测试； 3、结型场效应管（3DJ7为例）直流参数的测试。 ;实验五 场效应晶体管参数测量;二、实验内容与要求： 1、完成结型场效应管参数的测量。 2、熟悉场效应晶体管主要参数的物理意义及BJ2922B型场效应管参数测试仪的使用方法 ;实验六 光电导衰减法测量单晶硅非平衡少数载流子寿命; ;实验八 p-n 结的显示与结深的测量;实验内容 1、用磨角器磨角法制作p-n 结样片； 2、采用电解水氧化法显示p-n 结； 3、用金相显微镜观测样品的相关数据并计算出结深，重复测量3 次，求出结深的平均值。 ;实验九 用椭偏仪测量薄膜厚度;实验九 用椭偏仪测量薄膜厚度;实验十 晶体管特征频率的测量;实验十 晶体管特征频率的测量;实验十二 双极性运算放大器参数的测试;实验内容： 1、分别在6V、8V、15V三种电压下测试运算放大器LF741各个交、直流参数并比较分析； 2、对比分析测试数据及结果； 3、并画出其传输特性和转换速率的曲线。;实验十三 版图电路分析;;实验十四 几种数字门电路的计算机模拟与仿真;实验内容;实验十五 运算放大电路应用电路的模拟与仿真;实验十五 运算放大电路应用电路的模拟与仿真;实验十六 数字电路版图设计;实验十六 数字电路版图设计;实验十六 数字电路版图设计;实验十六 数字电路版图设计;实验十七 MOS结构高频C-V特性测试;实验十七 MOS结构高频C-V特性测试;实验十八 PMOS运算放大器设计与模拟;实验十八 PMOS运算放大器设计与模拟; PMOS运算放大器电路图 ;实验二十 稳压电源及应用电路的计算机模拟与仿真;实验二十 稳压电源及应用电路的计算机模拟与仿真;实验室主要仪器设备:; 集成运算放大器测试仪; 晶体管图示仪; 晶体管开关特性测试仪; 高频小功率晶体管fT测试仪; 自动椭圆偏振仪; 金相显微镜