模电第1章演示文稿587502316.pptVIP

第一章 常用半导体器件;1.1 半导体器件基础;三、本征半导体中的两种载流子;四、本征半导体中载流子的浓度;1.1.2 杂质半导体 一、N型半导体;二、P型半导体;1.1.3 PN结 一、 PN结的形成;二、PN结的单向导电性;2、外加反向电压时PN 处于截止状态 PN结处于反向偏置状 态。外电场使空间电荷区 变宽，加强了内电场，阻 止扩散运动的进行，加剧 漂移运动的进行，形成反 向电流，也称为漂移电流。 因为少子的数目极少，即 使都参与漂移，反向电流 也非常小，认为PN结处于 截止状态。 ;三、PN结的电流方程; u＞0, 正向特性； u＜0, 反向特性； 反向电压大时反向击穿。 高掺杂情况，耗尽层很  窄，不大的反向电压可产生  很大的电场，直接破坏 共价 键，产生电子-空穴对，称为齐纳击穿；掺杂浓度较低，反向电压较大时，电场使少子加快漂移速度，把价电子撞出共价键，产生电子-空穴对，又撞出价电子，称为雪崩击穿。击穿时要限制电流,否则造成永久性损坏。;五、PN结的电容效应 1、势垒电容 耗尽层的宽窄随外加电压的变化而变化，这相 当于电容的充、放电，其所等效的电容称为势垒电 容Cb。如图1.1.11所示。;;图1.1.12;1.2 半导体二极管;1.2.2 二极管的伏安特性 一、二极管和PN结伏安特性的区别 因存在体电阻和引线电阻，电流相同时二极管端电压比PN结压降大。二极管开始导通的临界电压称为开启电压（Uon）。导通后的电压则为工作电压。;二、温度对二极管特性的影响 如图虚线所示，在温度升高时，正向特性曲线将左移， 在室温附近，温度每升高1 ，正向压降减小2～2.5mV; 温度每升高10 ,反向电流约增大一倍。;1.2.4 二极管的等效电路 在一定条件下用线性元件构成的电路来近似模拟 非线性器件二极管的特性，称为等效电路或等效模型。 一、伏安特性折线化等效电路; 图（a）表明二极管导通时正向压降为零??截止 时反向电流为零，称为“理想二极管”。 图（b）表明二极管导通时正向压降为一个常量 Uon ，截止时反向电流为零，等效电路为理想二极管 串联电压源Uon。 图（c）表明当二极管正向电压大于Uon后其电流 i和电压u成线性关系，直线斜率为1/rD。二极管截止 时反向电流为零。等效电路为理想二极管串联电压源 Uon和电阻rD，且rD=△U/△I。 ;;1.2.5 稳压二极管 一、稳压二极管的伏安特性 ;二、稳压二极管的主要参数 1、稳定电压UZ:在规定电流下稳压管的反向击穿 电压。 2、稳定电流IZ(Izmin)：稳压管保证稳压效果的最小 电流。 3、额定功耗PZM：稳压管的稳定电压UZ和最大稳定 电流IZM(Izmax)的乘积。可以通过PZM求出IZM的值。 4、动态电阻rZ：稳压管在稳压区内，端电压变化量 △UZ与其电流变化量△IZ 之比，即△UZ / △IZ 。 rZ愈小则稳压特性愈好。 rZ 为几 ~ 几十欧。 5、温度系数α：温度每变化1oC稳压值的变化量。 使用时，稳压管电路中要串联一个限流电阻R。;例1.2.2 在图1.2.11所示稳压管稳压电路中，已知 稳压管的稳压值UZ=6V，最小稳定电流 IZmin=5mA，最大稳定电流IZmax=25mA； 负载电阻R=600Ω。求解限流电阻R的取值范围。;1.2.6 其它类型二极管 一、发光二极管;二、光电二极管 ; 图1.2.14（a）为光电二极管的伏安特性。在无光 照时，与普通二极管一样，具有单向导电性。反向电 流称为暗电流，通常小于0.2μA。; 有光照时，特性曲线下移，分布在第三、四象限内。 在反向电压的一定范围即第三象限，特性曲线是一组 横轴的平行线，光电流受