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第七章：光电成像技术;1 光电成像器件的发展;1934年研制出光电像管，应用于时内外的广播电视摄像。它的灵敏度相当低，要达到现在图像信噪比的要求，需要不低于10000 lx的照度，这是它的应用范围受到很大限制。 1947年超正析摄像管面世，使最低照度降至2000 lx。 1954年灵敏度较高的视像管投入市场。其成本低，体积小，灵敏度和分辨率都较高，但不是适用于高速场合和彩色应用。 ;1965年，氧化铅管成功代替正析摄像管，广泛应用于彩色电视摄像机。它使彩色电视广播摄像机的发展产生了一个飞跃。 1976年前后，又相继出现灵敏度更高，成本更低的硒像管和硅靶管。 1970年，美国贝尔实验室发表电荷耦合器件（CCD）原理，从此光电成像器件的发展进入了一个新的阶段——CCD固体摄像器件的发展阶段。;2 光电成像器件的类型;扫描型光电成像器件又称为摄像器件。这种器件通过电子束扫描或自扫描方式将被设景物将光学系统成像在器件光敏面上的二维图像转变为一维时序电信号输出出来。这种运载图像信息的一维时序信号称为视频信号。;二、非扫描型：直视型电真空像管 红外变像管 变相管 紫外变像管 X射线变像管 串联式像增强管 像增强管 级联式像增强管 微通道板式像增强管 负电子亲和势阴极摄像管 ;3、光电成像器件的基本特征;4 光电成像原理;$5、电视制式;光电导型真空摄像管;二、光电发射型摄像管;电荷耦合器件;P沟道型CCD原理;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;单沟道线阵CCD;双沟到线阵CCD;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd.;四、像管成像物理过程：（三个环节）;1．辐射图像的光电转换： 利用外光电效应。光敏面采用光电发射型材料。发射的电子流分布正比于人射的辐射通量分布。由此完成辐射图像转换为电子图像的过程。 2．电子图像增强： 电场加速 或微通道板中二次电子发射。;3电子图像的发光显示 高能电子轰击荧光屏，发出可见光。 荧光屏是利用掺杂的晶态磷光体受激发光。;五、像管的主要结构类型;三级串联像增强管;磁聚焦像增强管;有光纤板的三级像增强管;微通道板结构