(第四讲)半导体三极管及放大电路基础.pptVIP

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2017-04-21 发布于四川
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(第四讲)半导体三极管及放大电路基础

第四讲;3 半导体三极管及放大电路基础;3.1 半导体三极管（BJT）; 半导体三极管的结构示意图如图03.1.01所示。它有两种类型:NPN型和PNP型。两种类型的三极管; 结构特点：; 三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。外部条件：发射结正偏，集电结反偏。;三极管内有两种载流子(自由电子和空穴)参与导电，故称为双极型三极管。或BJT (Bipolar Junction Transistor)。 ;载流子（主部）的传输过程;一般关系;2. 电流分配关系（续）;共集电极接法，集电极作为公共电极，用CC表示;;RL;;vCE = 0V;(3) 输入特性曲线的三个部分;饱和区：iC明显受vCE控制的区域，该区域内，一般vCE＜0.7V(硅管)。此时，发射结正偏，集电结正偏或反偏电压很小。;输出特性曲线（演示）; (1)共发射极直流电流放大系数 =（IC－ICEO）/IB≈IC / IB ? vCE=const;(2) 共发射极交流电流放大系数? ? =?IC/?IB?vCE=const;3.1.4 BJT的主要参数（续）;3.1.4 BJT的主要参数（续）;3.1.4 BJT的主要参数（续）;3.1.4 BJT的主要参数（续）; 由PCM、 ICM和V(BR)CEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。输出特性曲线上的过损耗区和击穿区;课外作业