太阳电池发电原理选编.pptVIP

太阳电池原理及参数;授课时间：;　图中，正电荷表示硅原子，负电荷表示围绕在硅原子旁边的四个电子。而黄色的表示掺入的硼原子，因为硼原子周围只有3个电子，所以就会产生如图所示的蓝色的空穴，这个空穴因为没有电子而变得很不稳定，容易吸收电子而中和，形成P（positive）型半导体。 ;2.N型半导体;3、P-N结内电场的形成;4.P-N结光伏效应;;2.太阳能电池发电的基本原理 ;光伏基础——太阳电池分类; 异质结太阳电池：由两种禁带宽带不同的半 导体材料形成的异质结。用异质结构成的太阳 电池称为异质结太阳电池，如氧化锡/硅太阳能 电池、硫化亚铜/硫化镉太阳电池、砷化镓/硅太 阳电池等。; 多结太阳电池：由多个P-N结形成的调养电池， 又称复合结太阳电池，有垂直多结太阳电池、水平 多结太阳电池等。;光伏基础——太阳电池分类;光伏基础——太阳电池分类;常规晶体硅太阳电池;非晶硅/微晶硅双叠层太阳电池; 背面电极;First Solar碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池 ;CIGS太阳电池结构 ;DSSC太阳电池结构 ;1.标准测试条件 光源辐照度：1000W/m2 ；是标准测试太阳能电池的光线入射强度。 测试温度： 25±20C ； AM1.5地面太阳光谱辐照度分布。;2. 伏安(I-V)特性曲线;3. 开路电压 在一定的温度和辐照度条件下，光伏发电器在空载(开路)情况下的端电压，通常用Voc来表示。 正比。 ;4. 短路电流 在一定的温度和辐照条件下，光伏发电器在端电压为零时的输出电流，通常用Isc来表示。 Isc与太阳电池的面积大小有关，面积越大， Isc越大。一般1cm2的太阳电池Isc值约为16~30mA。 Isc与入射光的辐照度成正比。 Isc随温度上升略有增加。;5. 最大功率点 在太阳电池的伏安特性曲线上对应最大功率的点，又称最佳工作点。 6. 最佳工作电压 太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电压。通常用Vm表示。 7. 最佳工作电流 太阳电池伏安特性曲线上最大功率点所对应的电流。通常用Im表示 ;8. 填充因子(曲线因子) 太阳电池的最大功率与开路电压和短路电流乘积之比，通常用FF表示： FF = ImVm/ IscVoc IscVoc是太阳电池的极限输出功率 ImVm是太阳电池的最???输出功率 填充因子是表征太阳电池性能优劣的一个重要参数。 ;9. 转换效率 受光照太阳电池的最大功率与入射到该太阳电池上的全部辐射功率的百分比。 η= Vm Im / Pin 或η= FF* Isc*Voc / Pin 其中Vm和Im分别为最大输出功率点的电压和电流， Pin为太阳光输入功率。 ;10. 电流温度系数 在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化10C ，太阳电池短路电流的变化值，通常用α表示。 对于一般晶体硅电池 ： α=+0.1%/0C 11. 电压温度系数 在规定的试验条件下，被测太阳电池温度每变化10C ，太阳电池开路电压的变化值，通常用β表示。 对于一般晶体硅电池 ： β =-0.38%/0C ;(1)理想太阳电池等效电路： 相当于一个电流为Iph的恒流电源与一只正向二极管并联。 流过二极管的正向电流称为暗电流ID. 流过负载的电流为I 负载两端的电压为U;;串联电阻Rs的主要来源是：制造电池的半导体材料的体电阻、电极和互联金属的电阻，以及电极和半导体之间的接触电阻。 分流电阻Rsh则由于P-N结漏电引起的，其中包括绕过电池边缘的漏电及由于结区存在晶体缺陷和外来杂质的沉积物所以引起的内部漏电。 这两种寄生电阻都会起到减小填充因子的作用，很高的Rs值和很低的Rsh值还会分别导致ISC和VOC的降低。;根据结点电流的关系可以推出： Iph=ID+Ish+IL 则IL=Iph-ID-Ish 电压关系： UJ=UL+ILRS UJ=IshRsh; 暗电流ID是注入电流和复合电流之和，可以简化为单指数形式： ID=Io{exp(qUj/A0kT)-1} 其中： Io为太阳电池在无光照时的饱和电流； A0为结构因子，它反映了p-n结的结构完整性对性能的影响； K是玻尔兹曼恒量 T是热力学温度 ;因此得出: 这就是光照情况下太阳电池的电流与电压的关系。画成图形，即为(I-V)特性曲线。 ;在理想情况下： Rsh →∞ ， Rs→0 由此得到： I= Iph – ID