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《微电子学概论》—ch4集成电路制造工艺CMOS工艺
集成电路制造工艺;上一次课的主要内容;工艺集成;栅电极：
重掺杂的多晶硅
;多晶硅;;N型(100)衬底的原始硅片;;N衬底;N衬底;N型(100)衬底的原始硅片; 隔离工艺
MOS晶体管结构: 自隔离性
相邻MOS管之间区域（氧化层）上有导线经过时，寄生MOS管可能开启，相邻晶体管之间的隔离被破坏
;MOS集成电路隔离：如何防止寄生晶体管开启
增大场氧化层厚度
提高场氧下面硅层的表面掺杂浓度，提高阀值
;N衬底;
场氧光刻掩膜版;N衬底; LOCOS隔离; NMOS、PMOS结构;;N衬底;N衬底;N衬底;N衬底;;;;阈值调整注入;N衬底;N衬底;N衬底;N衬底;;N衬底;;NMOS结构
PMOS结构;
P ;N衬底;N衬底;N衬底;;NMOS结构
PMOS结构; 形成钝化层
在低温条件下(小于300℃)淀积氮化硅(PECVD)
光刻钝化版
刻蚀氮化硅，形成钝化图形，刻出压焊点
测试、封装，完成集成电路的制造工艺
;1、试简述N阱CMOS晶???管的工艺流程。
2、画出CMOS反相器的截面图
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