电工电子技术 第6章 晶体管及基本放大电路.ppt

第6章 晶体管及放大电路;6.1 半导体晶体管 ;一. 基本结构与分类;1）按材料分 2）按结构分 3）按频率分 4）按功率分; 放大器一般为4端网络，根据公共端的不同，晶体管有三种连接方式;（一）三个区的特点 1) 发射区是掺杂质比集电区掺杂多的 N型半导体，电子浓度很大； 2） 基区很薄，为掺杂质很少的 P 型半导体。 3） 集电极面积大，保证尽可能收集到发射区发射的电子。;晶体管共射极接法的放大电路图;1. 载流子运动规律;2. 电流关系;1. 输入特性曲线 集一射极电压 UCE 为常数时，输入电路(基极电路)中基极电流 IB 与基—射极电压UBE 之间的关系曲线，即 IB=f (UBE)| U CE=常数;2. 输出特性曲线;3DG6的输入特性;a) 静态电阻 动态电阻 rceRCE; 1．电流放大系数 1）共射极直流电流放大系数β 在静态(无输入信号)时 称为共射极直流放大系数。 2）交流电流放大系数β 集电极电流的变化量△IC 与基极电流的变化量△IB 的比值。 在放大区工作时，常有 β≈ β; 2 . 集电极最大允许电流 ICM 集电极电流 IC 超过一定值时，晶体管的β值要下降。当β 值下降到正常数值的三分之二时的集电极电流 IC ，称为集电极最大允许电流 ICM 。 3．集—射极反向击穿电压 U(BR)CEO IB= 0时，加在集电极和发射极之间的最大允许电压，称为集—射极反向。当晶体管的集—射极电压 U(BR)CEO 。 注：当UCE ＞ U(BR)CEO 时，晶体管会被击穿。 4．集电极最大允许功率损耗 PCM PCM允许在集电极上消耗功率的最大值。; 一般温度对所有参数都影响，但影响最显著的是 ： 1. ICBO集电极与基极间的反向饱和电流 T ↑ (10°C ) → ICBO ↑ （约一倍）； 2. β ：T ↑(1°C ) → β↑( 1 % ); 3. UBE : T ↑ (1°C ) → UBE↑ ( 约2mV）。;6. 2 共射极基本放大电路;一. 放大电路的组成;1. 各元件的作用; 1). 晶体管必须工作在放大区，即 NPN管：UC ＞ UB ，由RC、UCC保证， UB ＞ UE，由RB、UCC保证; PN P管： UC ＜ UB ＜ UE （与NPN管原理 同，电源和电容极性相反） ； 2). 信号能输入（C1），即u i 能使 i B 变化; 3). 信号能输出（C2），即 i C 变化产生 u o 输出。 ;例1：;二. 直流通路和交流通路;6. 3 放大电路的静态（直流）分析;解析法确定Q点; 在图所示的放大电路中，已知UCC＝12V，RC＝ 3kΩ，RB＝280kΩ ，β=50。求静态值。;例2：;6. 4 放大电路的动态分析; 表述：把非线性元件晶体管所组成的放大电路等效为一个线性电路，也就是把晶体管线性化，等效为一个线性元件。这就是微变等效电路法。 线性化的条件：晶体管在小信号(微变量)情况下工作，才能在静态工作点附近的小范围内用直线段近似地代替晶体管的特性曲线。;1. 晶体管的微变等效电路;2) 输出回路;3）晶体管的微变等效电路图;2. 放大电路的微变等效电路;二. 放大电路的基本性能指标;三. 分析举例;2）输入电阻ri;讨论：;3）输出电阻 ro;4）源电压放大倍数;四.图解分析法;①;6.5　　射极偏置放大电路;一. 射极偏置电路的结构;UB与晶体管参数无关。;2. 静态工作点Q的估算式;3. 稳定静态工作点的物理过程：;2.动态分析（根据微变等效电路图）;射极偏置放大电路;微变等效电路;3). ri 、ro 的计算;例题：;例题直流通路; 2) 微变等效电路;53; 6.6 射极输出器; 一. 静态分析;微变等效电路;② ri 的计算;③ro 的计算：; Au ≈1，即 uo≈ui ，具有跟随作用，故称射极跟随器，可作为多级放大器的缓冲级（中间级）； 具有较高的输入电阻，可作为多级放大器的输入级；; 在射极输出器中，UCC=12V,β=60, RB=200kΩ, RE= 2kΩ, RL = 2kΩ, UBE=0.6V . 试求1）静态值；2） Au 、ri 、ro 。;61;通过上述计算结果，说明Au ≈1， ri 较高、 ro 很低。