磁记录薄膜和光存储薄膜试题.ppt

7.5磁记录薄膜和光存储薄膜;7.5.1复合磁头和薄膜磁头; 磁性存储技术在现代技术中举足轻重。由于磁信号的记录密度在很大程度上取决于磁头缝隙的宽度、磁头的飞行高度以及记录介质厚度，因此就需要不断减小磁头体积和磁记录介质厚度。薄膜自身饱和磁化强度较高，允许采用的磁性介质厚度更小，性质也更均匀，因此薄膜磁头材料和薄膜磁存储介质是发展的主要方向之一。;通常的磁头使用的是高导磁率的烧结铁氧体，具有很好的软磁性能和耐磨性，电阻率高，高频性好。但磁化强度远远低于合金软磁材料。如右表。 为进一步提高磁头性能，一方面可采用电镀、溅射、蒸发等方法，在上述磁头间隙处沉积一层厚度为几微米的软磁性能较好的合金薄膜；另一方面完全采用薄膜技术，将磁性材料和磁场线圈都沉积在特定衬底上。采用薄膜技术制备的磁头具有较高灵敏度，缩小尺寸，提高记录密度; 提高磁头灵敏度的一个重要措施是继续提高磁性薄膜材料的饱和磁化强度。以分子束外延的方法在GaAs衬底上外延制的了Fe16N2这一Fe的亚稳态氮化物，据称其饱和磁化强度达到2.6A/m,是一个很有希望的磁头材料。;磁性薄膜研究的重要进展之一是超高磁阻材料的发现;磁性薄膜记录介质的饱和磁化强度较高，有利于降低介质厚度，提高记录密度和降低成本。;光存储技术的主要优点是具有高的信息存储密度，因为激光束本身可以被聚焦到很小的面积上。与传统磁存储方式比，它还具有信噪比较高，可实现非接触式读写，信息存储寿命较长等优点。分为以下几种。;磁光存储技术所依赖的是磁性材料的两个性质：（1）当温度变化时，材料磁化状态产生相应变化的热磁效应；（2）材料磁化状态使得从其表面反射回去的偏振光的偏振方向发生变化的克尔磁光效应。;相变光存储假若激光照射功率不足以使薄膜区域熔化，但足以加热其到晶化温度以上的话，则激光照射区域将发生净化过程而转变为晶态结构。由于晶态与非晶态区域的光学特性不同，晶态区域对光的反射能力较强，透光性较差。因而依靠不同区域对激光束的反射或透射能力的变化，就可以读出被记录的信息。;