半导体物理-双极型器件.ppt

半导体器件物理 ;半导体器件的种类 ① 双极型器件 ~ p-n结二极管, BJT, SCR, IGBT等. ② 单极型器件 ~ JFET, MESFET, HEMT, MOSFET等. ③ 负阻型器件 ~ 隧道二极管, TTD, TED等. ④ 光电子器件 ~ LED, LD, PD, APD, 红外探测器件, 光电池等. ⑤ 声波器件 ~ 超声波放大器件, 表面声波器件, 光偏转器件等. ⑥ 其他器件 ~ 超导器件, 磁电子器件, 各种传感器件等. 学习要求 ① 基本结构 ② 工作原理 ③ 性能参数 ④ 设计制造 ;—— 课程内容 —— 第一章 半导体物理概念（复习） 第二章 p-n 结二极管 第三章 双极型晶体管（BJT） 第四章 结型场效应晶体管（JFET） 第五章 MOS型场效应晶体管（MOSFET）;☆ 微电子技术的发展 ☆;各种IC;1μm;—— 微细加工技术的进展 ——;* 光刻工艺进展 * ( 制造特征尺寸≤130 nm 的CMOS-VLSI ) ① 采用超解像技术: 环带照明法 (OAI), 相移掩模法 (PSM), 光学接近修正 法(OPC); 将光刻胶图形加热到基材玻璃转变温度以上, 通过热流来实现图形的微细化. ② 采用新的曝光波长: 开发193nm ArF准分子激光和相应的光刻胶 (透明, 能干法腐蚀). ③ 193nm用的光刻胶: 主要有丙烯(Acryl)树脂、Norbornene与无水Malein 酸的交替共聚树脂、多环烯(Polycycloolefine)树脂3种. (以前 i 线 [365nm] 用的酚醛树脂 [Novolac] 和 248nm [深紫外线] KrF准 分子激光用的PHS [Polyhydroxy styrene] 树脂不再合用.) ④ 开发新的曝光技术: 开发 (248nm+PSM), (193nm), (193nm+PSM), 157nm, 电子束投影光刻(FPL), X射线光刻(XRL), 离子束投影光刻(I PL) 等技术. ;☆ 微电子新技术 ☆; ② Cu的优点: a) 电阻率低; b) 抗电迁移能力强。 →→对 0.22μm 的IC, 从1997年开始采用了Cu布线 (对于特征尺寸0.25μm的IC采用的都是Al)。 ③ 镶嵌工艺: ( Cu金属化 + CMP ) 有单镶嵌工艺和双镶嵌工艺。 单镶嵌工艺的工序数较多 (需要进行2次Cu的金属化及 CMP加工), 但具有较小的引线沟槽宽深比。; 高K、低K绝缘材料技术 : 高K材料~ SiO2、 Si3N4、钛酸钡、HfO2 ？？？ 低K材料~ 塑料、聚酰亚胺 ？？？？;* 典型的低k材料(1) *;MSQ 系 (旋涂); 应变半导体技术 : 改变能带结构（能带工程和子能带工程）~ 增强载流子迁移率（减小散射几率和有效质量） 空穴迁移率 ？？？; 混合晶向技术（HOT） : 衬底的晶向有几个 ~ 空穴在（110）晶面上的迁移率比在（100）晶面上的高2.5倍! →采用（110）晶面，就可将工作频率提高到2.5倍。 ;—— 纳米集成电路中的连接线 —— 纳米集成电路设计中需要着重优化连接线： ;连接线之间的交叉耦合对集成电路信号延迟的影响: 在纳米IC中, 连接线的电容主要由交叉耦合所引起, 将使得连接线的电容 不与长度成正比. ;—— 纳米集成电路中的设计方法 —— 传统的直线式流程方法不再适用: 布图规划方法没有根据连接线的实际数据来进行预估; 物理综合方法只考虑了门延迟的问题, 也没有考虑连接线的具体情况. 需要采用新的设计方法——持续收敛方法: 从“虚拟硅样