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光敏二极管芯片制作流程答辩.pptVIP

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  • 2017-04-21 发布于湖北
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光敏二极管芯片制作流程答辩.ppt

    ;;;1’ST OXIDE;DEVICE;10V条件，无光照;5V时突然关门;PHOTO TRANSISTOR PROCESS TD1-06;1’ST OXIDE;项目;本社开发品： --根据本社提供的资料制作样品，投入前需要确认好RUNSHEET，在制作过程中要由质量部门跟踪。 大连开发品： --进行试生产，3次QUAL合格后进行量产转换； --工艺改善时投入开发品进行评价，评价合格后可做变更进行量产。

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