9.数字集成电路基本单元与版图.pptVIP

集成电路设计基础;第九章 数字集成电路基本单元与版图;9.1 TTL基本电路 ;*;*;第九章 数字集成电路基本单元与版图;9.2.1 CMOS反相器;CMOS反相器的转移特性;CMOS反相器的转移特性(续1);反相器转移特性(续2);反相器转移特性(续3);反相器转移特性(续4);反相器转移特性(续5);反相器转移特性(续6);反相器转移特性(续7);反相器转移特性(续8);CMOS反相器的瞬态特性;NMOS和PMOS源、漏极间电压的变化过程为： Vdsn：0?Vdd |Vdsp|：Vdd?0 ，即 1?2?3?原点; 考虑到上拉管导通时先为饱和状态而后为非饱和状态，输出脉冲上升时间可分为两段来计算。;*;NMOS的导通电流开始为饱和状态而后转为非饱和状态，输出脉冲的下降时间也可分为两段来计算。;*;反相器电路图到符号电路版图的转换 ;各种形式的反相器版图 ; 并联反相器版图 ;CMOS与非门和或非门 ;与非门的版图 ;或非门版图 ;传输门;NMOS传输门;NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);NMOS传输门(续);PMOS传输门;PMOS传输门(续);PMOS传输门(续);PMOS传输门(续);PMOS传输门(续);CMOS传输门;* / 78;Va是连接点a上的电压。 当两个管子都导通